由于CH3-CH3鍵的鍵能為3.8eV，電暈處理機安裝視頻CH3CH2-H鍵的鍵能為4.2eV（電暈中電子的平均能量為6eV)，C2H6分子在電暈作用下以以下方式離解：C2H6+E*&Rarr；CH3+CH3+e(3-38)C2H6+E*&Rarr；C2H5+H+E(3-39)同樣，CO2分子與高能電子的非彈性碰撞促進了C-O鍵的斷裂和活性氧的形成：CO2+E*&Rarr；CO+O-(3-40)CO2+E*&Rarr；CO+O+E(3-41)活性氧與C2H6分子發(fā)生無彈性碰撞，形成C2H4和C2H2終身；C2H6+0&RARR；C2H4+H2OC2H6+O-&Rarr；C2H4+H2O+e(3-42)C2H6+2O&RARR；C2H4+H2O，C2H6+2O-&RARR；C2H2+2H2O+2E(3-43)因此，隨著反應(yīng)體系中CO2添加量的增加，更多的氧物種與乙烷反應(yīng)生成乙烯和乙炔。

但不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質(zhì)。光刻膠的去除過程中常采用電暈清洗。在電暈反應(yīng)體系中引入少量氧氣，電暈處理機老跳閘的原因在強電場作用下，氧氣產(chǎn)生電暈，使光刻膠迅速氧化為揮發(fā)性氣體狀態(tài)，抽走物質(zhì)。該清洗技術(shù)操作方便，效率高，表面清潔，無劃痕，有利于保證產(chǎn)品質(zhì)量。而且它不需要酸、堿和有機溶劑，因此越來越受到人們的重視。。

（3）鏈轉(zhuǎn)移反應(yīng)：H+C2H6&RARR；C2H5+H2(3-29)CH3+C2H6&RARR；C2H5+CH4(3-30)CH3+E*&Rarr；CH2+H(3-31)CH2+E*&Rarr；CH+H(3-32)CH+E*&RARR；C+H(3-33)（4）鏈終止反應(yīng)：CH3+H&RARR；CH4(3-34)CH2+CH2&RARR；C2H4(3-35)CH3+CH&Rarr；C2H4(3-36)CH+CH&RARR；C2H2(3-37)低溫常壓下，電暈處理機安裝視頻純乙烷在電暈作用下可脫氫生成乙炔；、乙烯、少量甲烷和積碳，但存在轉(zhuǎn)化率低、反應(yīng)器壁積碳等問題。

該清洗系統(tǒng)包括進料區(qū)、清洗區(qū)、下料區(qū)和可在進料區(qū)、清洗區(qū)和下料區(qū)之間往復(fù)移動的裝載平臺。

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引線鍵合前，可利用氣體電暈技術(shù)對芯片接頭進行清洗，以提高鍵合強度和成品率。在芯片封裝中，在鍵合前對芯片和載體進行電暈清洗，提高其表面活性，可以有效防止或減少空隙，提高附著力。另一個特點是增加了填料的邊緣高度，提高了封裝的機械強度，降低了界面間因材料間熱膨脹系數(shù)不同而形成的剪應(yīng)力，提高了產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

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