等離子體聚合介質薄膜可以保護電子元件,采用等離子體沉積導電膜技術保護電子線路和設備不受靜電荷積累造成的損壞,等離子體沉積薄膜技術還可以制作電容器元件。可廣泛應用于電子工業,化學工業,光學等領域。
等離子體積硅化合物,使用SiH4+N2O(或Si(OC2H4)+O2)制造SiOxHy。空氣壓力1~5托(1托≈133帕),功率為13.5MHz。SiH4+SiH3+N2用于氮化硅沉,氣溫為300℃,沉積速率為180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反應劑得SixC1+x:H,xhttps://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/denglizibiaomianchuli20.png是Si/Si+C比例。硬度超過2500千克/毫米。
利用等離子體在多孔基片上沉積一層薄聚合膜,制成選擇性滲透膜和反滲透膜,可用于分離混合物中的氣體,分離離子和水。還可結合超薄膜層,以適應不同的選擇性,如分子尺寸、可溶性、離子親合性、擴散性等。采用常規的方法,在碳酸鹽-硅共聚物基底上沉積0.5毫米薄膜,其氫與甲烷的滲透比為0.85,甲烷的滲透率比氫的高。當等離子體在基片上沉積苯甲氰單體時,其比值增加到33,分離效率大大提高。反滲透膜可用于海水的脫鹽處理,當水流量低于某一閾值時,排鹽效果較好。其聚合膜具有較好的抗滲透性能,如烯烴族、雜芳香族和芳香胺等。
采用等離子沉積膜技術制備的薄膜可用于光學元件,如消反射膜、防潮膜、抗磨損膜等。利用等離子體可在集成光學中根據要求的折射率沉積上穩定的薄膜,使其與光路中的各個元件連接。這類薄膜每厘米的光損失為0.04分貝。