這表明等離子體和催化劑的作用機(jī)理與純催化作用的機(jī)理并不相同，cob等離子體清洗等離子體等離子體和催化劑的作用機(jī)理有待進(jìn)一步研究。在CO2氧化物CH4轉(zhuǎn)化反應(yīng)中，LA203/Y-AL203、NA2WO4/Y-AL203等通過(guò)表面反應(yīng)提高C2烴類產(chǎn)品的選擇性，從而提高C2烴類產(chǎn)品的收率，但不能從根本上提高C2烴類產(chǎn)品的收率碳?xì)浠衔锂a(chǎn)品。

在可變C2烴類產(chǎn)品的分布中，cob等離子體清洗機(jī)器乙炔占C2烴類產(chǎn)品的70%以上，反應(yīng)的氣相副產(chǎn)物為H2和CO。鑒于上述試驗(yàn)結(jié)果，必須選擇合適的催化劑來(lái)改變C2烴產(chǎn)物的分布，增加C2烴產(chǎn)物中C2H2的摩爾分?jǐn)?shù)，增加反應(yīng)原子的經(jīng)濟(jì)效益。

相反，cob等離子體清洗隨著 CEO2 上的負(fù)載增加，CO2 轉(zhuǎn)化率下降。隨著 CEO2 負(fù)載從 0 增加到 10%，C2H4 和 C2H2 的總產(chǎn)率從 12.7% 增加到 21.8%。因此，有必要研究10%CEO2/Y-AL2O3與等離子體聯(lián)合作用下乙烷的轉(zhuǎn)化反應(yīng)。

C2H6 + E * & RARR; CH3 + CH3 + E (3-38) C2H6 + E * & RARR; C2H5 + H + E (3-39) 同樣，cob等離子體清洗CO2分子與高能電子之間的非彈性碰撞促進(jìn)CO增加鍵被裂解產(chǎn)生活性氧物質(zhì)：CO2 + E * & RARR；CO + O- (3-40) CO2 + E * & RARR；CO + O + E (3-41) 活性氧物質(zhì)和 C2H6 分子。

cob等離子體清洗機(jī)器

到 C2H4 和 C2H2：C2H6 + 0 & RARR; C2H4 + H2OC2H6 + O- & RARR; C2H4 + H2O + E (3-42) C2H6 + 2O & RARR; C2H4 + H2O C2H6 + 2O- & RARR; C2H2 + 2H2 因此，隨著添加到反應(yīng)系統(tǒng)中的 CO2 量的增加，更多的氧物質(zhì)與乙烷反應(yīng)生成乙烯和乙炔。

但在DBD放電等離子等離子體的作用下，CH4與CO2重整反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物轉(zhuǎn)化率較低，反應(yīng)能耗較高。 LI 等人分別研究了在直流和交流電暈放電作用下 CH4 和 CO2 的重整反應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，CH4和CO2在電暈放電等離子體作用下的重整反應(yīng)，與直流正電暈放電后交流電暈放電相比，反應(yīng)物、H2的選擇轉(zhuǎn)化率更高。可以獲得選擇性。直流負(fù)電暈。馬里縮酮。還有杰塞雷塔爾。

當(dāng)?shù)入x子清洗功率為100W、200W、300W、400W、500W時(shí)，78L12芯片正常工作如下。溫和加熱條件（85℃）下輸出電壓的變化假設(shè)等離子清洗時(shí)間和氣氛不變，隨著清洗功率的增加，正常等離子清洗前后78L12芯片的輸出電壓變化增加。這同樣適用于傾向于線性增加的加熱條件。假設(shè)等離子清洗功率和氣氛不變，78L12芯片在常溫加熱條件下等離子清洗前后的輸出電壓趨于不斷增加，隨著清洗時(shí)間的增加趨于穩(wěn)定。

3、退火工藝對(duì)78L12芯片電性能的影響將常規(guī)工藝等離子清洗后的78L12芯片在150℃的空氣環(huán)境中存放4小時(shí)，測(cè)試輸出電壓。 4H，芯片輸出電壓明顯下降。加熱條件下的儲(chǔ)存環(huán)境加快了芯片材料中原子的運(yùn)動(dòng)速度和振動(dòng)頻率，促進(jìn)了原子向平衡態(tài)的轉(zhuǎn)變。這表現(xiàn)為 78L12 芯片的輸出電壓下降。這也說(shuō)明78L12芯片在等離子清洗過(guò)程中的電壓上升是一個(gè)可逆的過(guò)程，不會(huì)因?yàn)樾酒瑑?nèi)部發(fā)生破壞而損壞。

cob等離子體清洗

4、上電老化對(duì)78L12芯片電特性的影響將退火后的78L12芯片在125℃老化168小時(shí)后，cob等離子體清洗機(jī)器測(cè)量芯片的輸出電壓如表4所示。芯片已通過(guò)電源劣化評(píng)估，輸出電壓值穩(wěn)定。老化后的輸出電壓略低于等離子清洗前測(cè)量的初始電壓。這是因?yàn)榈入x子清洗后的刀片退火沒有完成。在 125°C 和 168H 的加熱條件下繼續(xù)進(jìn)行退火過(guò)程。并且輸出電壓進(jìn)一步下降。 5、氮化硅薄膜芯片經(jīng)過(guò)多次等離子清洗后，鈍化膜上沒有出現(xiàn)起皺現(xiàn)象。