盡管介質阻擋放電(DBD)得到了發展和廣泛的應用，東莞植絨電暈機但對DBD的理論研究僅近20年，且局限于微放電或整數放電詳細討論了放電過程的某些部分，沒有任何理論可以適用于各種情況下的DBD。究其原因，各種DBD的工作條件差異較大，放電過程中既有物理過程，也有化學過程，兩者相互作用，很難從最終結果判斷中間的具體過程。

隨著科技的發展，東莞植絨電暈機設備越精良，對清潔的要求越高，特別是在芯片制造、成像、顯示等領域，如手機攝像頭、芯片、電容屏、柔性屏等，對表面微量污染物的清潔要求越高，甚至不能殘留任何納米級顆粒。由于污染物體積小，成分復雜，表面不會有有機殘留物，更能體現等離子體處理器清洗機的作用。

根據電阻器損壞時大多開路或阻值變大，東莞植絨電暈機高阻值的電阻器容易損壞的特點，我們可以用萬用表直接測量電路板上高阻值電阻兩端的電阻。如果測得的電阻值大于標稱電阻值，電阻肯定會損壞（注意等待電阻值顯示穩定后再下結論，因為電可以并聯電容元件，有一個充放電的過程。）如果被測電阻小于標稱電阻，一般忽略不計。這樣，電路板上的每一個電阻都再測一遍，即使“誤殺”一千個也不放過一個。

低溫等離子體存在于以下幾種情況：電子高速運動，東莞植絨電暈機中性原子、大分子、原子團（自由基）活化，離子原子團、大分子、紫外線、非反應性大分子、原子團等，但化學物質保持中性。原料的表面改性方法通常可分為有機化學改性和物理改性。有機化學改性通常是指用化學試劑對原料表層進行升降的方法，包括酸洗、堿洗、過氧化物或臭氧處理等。

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等離子體聚合是利用放電對等離子體氣態單體產生各種活性物質，這些活性物質之間或活性物質與單體之間通過加成反應形成聚合膜。等離子體表面處理是利用非聚合無機氣體(Ar2、N2、H2、O2等）的等離子體進行表面反應，通過表面反應將特定官能團引入表面，導致表面侵蝕，形成交聯結構層或產生表面自由基。在被等離子體激活的表面自由基位置，特定的官能團，如氫過氧化物，可以進一步反應。在高分子材料表面引導含氧官能團是常見的。

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