上下電極(BE、Metal C、 Metal D)和阻變層都是在邏輯后段工藝中會使用到的材料；阻變層的HfO2，側向附著力 電極材料TiN、Ti 和W都是邏輯工藝常用材料，無交叉污染問題。 目前阻變存儲器仍多使用等離子清洗機RIE/ICP蝕刻，面臨著存儲單元蝕刻剖面過于傾斜，金屬電極蝕刻后嚴重的側向腐蝕等問題。后續的工藝優化(功率脈沖等)或新反應氣體的引入應該可以取得更多的進步。

見進一步加大氯氣流量，滑移率與側向附著力的關系會使鍺的合金側向蝕刻加快形成底部內收的形貌，這也表明高活性化學蝕刻氣體對鍺的蝕刻更加有效同時不會損失過多的光阻，以達到保證側壁輪廓曲線的效果。 另一類是以含氟氣體為主的蝕刻，主要蝕刻劑是CF4，產物為GeF4較易揮發。我們可以得到非常平滑的圖形形貌。加人氧氣可以調節鍺對其合金的選擇比，高達到434。

刻蝕底切是由化學品的不定向刻蝕引起的，側向附著力一旦發生向下刻蝕，則允許側向刻蝕，底切越小，質量越好。測量這些底切值并將其稱為“刻蝕因子”。刻蝕工藝的所有步驟都是連接在一起的，而刻蝕的質量可以是刻蝕溶液或所用抗蝕劑的結果。化學刻蝕使用有很多有害的化學物質，而且不是環保的刻蝕工藝。使用等離子體進行刻蝕：等離子體刻蝕是20世紀80年代流行的一種環境友好刻蝕方法，用來從PCB孔洞中除去膠渣。

實驗結果表明：用氧真空等離子體設備滑移導管表面，側向附著力導管接觸角為84-deg；降低到67度；且無損傷基團發生，說明氧真空等離子體設備是一種合理有效的表面處理措施。。

側向附著力系數

固定刀片,刀片的空氣電容器基本上是調整到最大時重疊;如果有照明的現象,還需要確認刀片是否燒壞了,如燃燒可以燒毀后磨的位置使用,此外,葉片之間的距離太近,5.還可能出現打光現象;當電容無法調節時，可以打開匹配器進行手動控制和調節，同時確認葉片電容是否能正常旋轉。要注意電機和空氣電容的驅動部分是否不能轉動。如有卡滯，需及時報告維修。如果齒輪和軸之間有滑移，可以先簡單地自行處理。。

plasma等離子處理等離子體刻蝕硅的研究：在微電子工藝中，硅刻蝕工藝應用廣泛，如：器件隔離溝槽或者高密度DRAMIC中的垂直電容的制作MEMS等。目前，單晶硅的刻蝕主要有兩種方法：一種是濕法，濕法刻蝕方法因其自身的某些局限，例如大量使用有毒化學用品，操作不夠安全，側向滲透以及由于浸脹導致粘附性不良而產生鉆蝕使得分辨率下降，已逐漸被干法刻蝕所代替。

在比較大的受熱區，由于溫升，材料繼續熱膨脹，而相鄰區域的冷材料需要限制膨脹，所以整個受熱區因溫升而產生很大的壓應力，但材料的屈服應力降低，受熱區的材料不減少當僅發生壓塑性應變而受熱區材料變得不穩定時，板材背面的彎曲變形增大，壓塑性區進一步增大。因此，此時板材背面材料的壓縮塑性應變值遠大于正面，結果板材背面的橫向收縮率大于的正面。側向和反向彎曲變形大。

后面的主側墻(MainSpacer)會在后續的高濃度源漏區注入中，使LDD區得以保留，同時形成自對準的源漏區。為了形成側墻，首先要在柵極上沉積薄膜。假設薄膜沉積的厚度為a， 柵極高度為b，則柵極邊上的側墻高度為a+b。我們的側墻蝕刻是回刻，而且是各向異性的蝕刻，可以等效地理解為只有向下蝕刻，沒有或很少的側向蝕刻，所以如果蝕刻量為厚度a，則柵極側壁將只剩下側墻殘留，這就是我們想要的側墻了。

滑移率與側向附著力的關系

等離子體清洗機/等離子體處理器/等離子體處理設備廣泛應用于等離子體清洗、等離子體刻蝕、隔離膠、等離子體涂層、等離子體灰化、等離子體處理和等離子體表面處理等領域。等離子清洗機設備在各行業中的應用1，側向附著力手機蓋在手機蓋板生產中，手機蓋板需要多層涂層。鍍膜前，為保證高附著力和良好的鍍膜效果，等離子清洗機明顯提高了蓋板的表面活性和鍍膜壽命。

不干膠標簽技術正在成為一種日益有效的保護技術。制藥行業的目標是更安全地生產紙盒化學品。等離子預處理后，滑移率與側向附著力的關系標簽可以貼在小直徑、窄半徑，甚至關鍵區域的開始和結束標簽上，牢牢固定，不被完全篡改。等離子清洗機的機電一體化設計非常簡單。封閉式預處理作為標簽的一部分直接或間接進行。因此，表面處理是工藝的一部分，為產品和客戶提供安全保障。長期的研發使提高數碼印刷油墨對玻璃UV固化的附著力成為可能。