新型電阻變化存儲器的介紹及等離子刻蝕在等離子清洗機中的應用；阻性隨機存儲器(RRAM)是一種發展迅速的非易失性存儲器。它的儲存機制和材料是多樣的。金屬和金屬氧化物的大量使用意味著在電阻存儲器的圖形化過程中也將面臨等離子體清洗劑對磁性隧道結金屬材料的刻蝕。而電阻變量存儲器的多種存儲機制，隨機電暈處理裝置有何作用決定了其上下電極可以采用與邏輯工藝兼容的相同材料制成，從而大大降低了研發和量產的復雜度和成本。
預處理工藝：等離子清洗機&RARR；超聲波清洗；焊料清洗；運行自來水清洗；電解去污；RARR；運行自來水清洗；酸洗工藝；去離子水清洗是多年來大家采用的成熟工藝。但成熟的工藝不是一成不變的，電暈處理機功率調整必須根據產品和環境條件進行適當調整。如冬季室溫降至0℃時，酸洗工藝溶液應適當加熱或延長酸處理時間，以增強酸處理效果（效果），否則難以去除金屬表面氧化層。
此外，隨機電暈處理裝置有何作用當氧氣流量必須準時時，真空度越高，氧氣的相對份額越大，活性顆粒濃度越大。但如果真空度過高，活性粒子的濃度反而會降低。四、氧氣流量的調整：氧氣流量大，活性顆粒密度大，脫膠速率加快；但如果通量過大，離子的復合幾率增加，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。如果反應室內的壓力不變，流量增大，抽出的氣體量也增加，參與反應前抽出的活性顆粒量也增加，所以流量增大對脫膠率的影響不明顯。。
后者的偏置電壓相對較低，隨機電暈處理裝置有何作用為SiO2提供足夠的選擇比。主流行業的一對SiO2/Si3N4層總厚度小于15nm，遠小于數百納米的臺階寬度。SiO2/Si3N4蝕刻要求相對寬松的側壁角，不需要接近垂直。...
