我知道的是：表面激光合金化、噴丸、滲碳、氮化、鍍膜，氮化硅的親水性其實你要說得更詳細一些，比如金屬表面處理使金屬強化方法或者耐腐蝕性增強等等，因為金屬表面處理的方法很多，有的涉及物理變化，有的涉及化學變化，它們的金屬表面處理目的是不一樣的。如果用單指等離子表面處理器處理，如果是各種塑料，一般可以保持40小時左右，效果比較理想。特定的塑料制品需要特定的差異；如果是金屬，可以保存40多個小時，但效果會越來越弱。。
因此，氮化硅的親水性如果發現等離子體表面墊圈的側壁蝕刻的主蝕刻步驟的終點監測被暴露，則立即停止蝕刻并切換過蝕刻步驟。主刻蝕步驟中殘留的氮化硅膜通過過刻蝕步驟被刻蝕去除，同時停止在氧化硅膜上，以防止損壞下面的硅襯底。過蝕刻步驟通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 氣體的組合。 CH3F 氣體分解為 CHx 和 F. + H。等離子體中的撞擊離子會破壞 Si-O 鍵。
由于氮化硅的流動性不如氧化物，氮化硅的親水性蝕刻難度較大。等離子體表面處理機可以解決蝕刻的困難。等離子體蝕刻是通過化學或物理作用，或物理和化學作用的結合來進行的。在反應過程中,通過反應室中的氣體輝光放電,從而形成含離子等離子體,電子、自由基等活性物質,這些物質由于其擴散特征,將吸附介質的表面,與介質的表面原子的化學反應,揮發物。
2021年GaN技術的發展趨勢是什么？對此，氮化硅的親水性GaN系統做出了四個預測： ■ 預測一：充電器和適配器領域回顧2020年，今年是氮化鎵充電器之年。在售后市場方面，有用于手機、平板電腦和手持游戲設備的各種充電器和適配器。隨著多端口適配器的興起，到 2021 年，OEM 將越來越多地采用 GaN 充電器。
