領域的集成電路芯片制造、等離子體處理技術已經成為不可替代的成熟的過程,無論是芯片源離子注入,或晶片涂層,或我們的低溫等離子體表面處理設備可以實現:晶圓表面去除氧化膜、有機物質、面具和其他ultra-purification治療而表面活化(activation)可以提高晶體的表面潤濕性。。常壓低溫等離子體處理設備由等離子體發生器、氣體輸送系統和等離子體噴嘴組成。

從 16 / 14nm 節點開始，晶體表面等離子體改性在 3D 晶體管構建、更復雜的前后端集成、EUV 光刻技術的推動下，工藝數量大幅增加，對工藝和工藝清潔的要求也大幅增加。去做。從全球市場份額來看，單晶圓清洗設備的表現優于主動清洗站，自 2008 年業界推出 45nm 節點以來，已成為最重要的清洗設備。據 ITRS 稱，2007-2008 年是 45nm 工藝節點量產的開始。

當集體振動和電子的振動頻率與入射光波的頻率相匹配時，晶體表面等離子體改性就會發生共振。這時，形成了一種特殊的電磁模式。電磁場僅限于金屬表面的一個狹窄區域，稱為表面等離子體現象。這種電磁場增強效應可以有效提高分子的熒光產生信號、原子諧波的產生效率以及分子的拉曼散射信號。在宏觀尺度上，這種現象表現為金屬晶體在某些波長下的透光率顯著增加。。

在毛利率層面，晶體表面改性15-16英寸產品毛利率超過65%，比15-16英寸產品高出約10個百分點，16-19英寸產品毛利率接近80%此外，隨著公司生產工藝的改進和大型晶體生長設備的引進，單位爐加料量和單晶硅良量大幅增加，使得公司各系列產品毛利率均有所提升。公司整體毛利率波動較大，2016-2018年分別為43.73%、55.1%和63.77%，2019年上半年進一步提升至67.25%。

晶體表面改性