第二階段是到達基體表面的碳原子的成核和生長，觸摸屏等離子體刻蝕以基體表面的缺陷、金剛石晶體等為中心。因此，鉆石包括以下決定成核的因素： 1.基板信息：取決于成核導致的基板表面碳飽和度和到達核心的臨界濃度，基板信息的碳分散因子對成核有顯著影響。色散因子越高，就越難達到成核所需的臨界濃度。對于鐵、鎳和鈦等金屬基材來說，直接使這些信息成核是非常困難的。鎢、硅等信息，鉆石可以快速成核。

長期研究表明，觸摸屏等離子體刻蝕當一種化學物質吸收能量（熱能、光子能、電離）時，其化學成分會變得更加活躍，甚至會破裂。如果吸收的能量大于化學結合能，則化學鍵可能會斷裂。帶有能量的自由原子或基團，一方面分解空氣中的氧氣，然后結合形成臭氧，另一方面，污染物的化學鍵斷裂，形成自由原子或基團；在反應過程中，廢氣最終被分解氧化成簡單而穩定的化合物，如 CO2、H2O 和 N2。

為了提高滲透率，觸摸屏等離子體刻蝕機器對滲透前的工件表面進行感應淬火，表面淬火后的工件表面為馬氏體和殘余奧氏體，屬于組織缺陷，隨后出現表面應力和重排等低溫有許多缺陷為氮化過程提供能量和結構支撐，激發氮原子的活性，增加和加速氮原子的擴散速率。滲透率。此外，工件表面淬火后，表層硬度大大提高，基體與氮化層之間的硬度梯度減小（降低），氮化層脫落現象得到改善，氮化層和襯底得到強化。

但是，觸摸屏等離子體刻蝕這些增強型化學纖維具有表面光滑、化學活性低等缺點，使得化學纖維與樹脂基體之間難以建立物理固定和化學鍵，導致界面結合力不足，新型復合材料將不足。此外，市售纖維材料表面存在（有機）涂層和灰塵等污染物層，主要來自化纖制備、上漿、運輸和儲存過程，影響新型復合材料的界面粘合性能。 因此，利用纖維狀材料制備增強樹脂基體的新型復合材料。

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這是因為當CO2濃度高時，體系中的活性氧過多，它們與CH4分子相互作用產生氧化產物，并與產生的C2烴產物相互作用轉化C2H6，這是為了促進它。將 C2H4 和 C2H2 轉化為氧化產物。 CO 產率隨著 CO2 濃度的增加而增加，當 CO2 濃度超過 50% 時達到一個恒定值。同時，隨著系統中 CO2 濃度從 15% 增加到 85%，產品中 H2 與 CO 的摩爾比從 3.5 下降到 0.6。

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