典型的應用是形成保護涂層，一種智能化保護膜電暈處理裝置應用于燃料容器、防劃傷表面、類似聚四氟乙烯(PTFE)材料的涂層、防水涂層等。主要特點：能使材料表面的分子鏈斷裂產(chǎn)生新的自由基、雙鍵等活性基團，從而在過程中產(chǎn)生交聯(lián)、接枝等反應；活性氣體可在材料表面聚合生成沉積層，將有效提高材料表面粘接、涂布、印刷的附著力。。電暈在光電領域的應用相機模組：在COMS相機的生產(chǎn)過程中，涉及鏡頭清洗、電路焊接、封裝等工序。

本發(fā)明涉及一種通過對硅氧烷或聚氨酯透鏡進行電流輝光放電（表面電暈處理設備電暈）處理在硅氧烷或聚氨酯透鏡上提供保護覆蓋層的方法，保護膜電暈機即在輝光放電期間首先在烴氣氛下處理透鏡，然后在氧氣氣氛下處理透鏡，從而增加透鏡表面的親水性。必須提供一種具有光學透明性的親水性表面膜該表面膜層不僅具有良好的潤濕性，而且一般情況下允許硅氧烷水凝膠接觸鏡在人眼內長時間連續(xù)使用。

電暈聚合用于保護膜、光學材料、電子材料、分離膜、醫(yī)用材料等的表面改性已得到廣泛的研究。電暈表面處理器中的電暈聚合可用于制備導電聚合物薄膜，保護膜電暈機在電子器件和傳感器等方面具有廣闊的應用前景，還可用于制備光刻膠膜、分離膜、絕緣膜、光學材料的反射率和折射率控制、薄膜波導、生物醫(yī)用材料等質膜。分離中研究最多的質膜有氣體分離膜、滲透汽化膜和反滲透膜。

針對這一問題，一種智能化保護膜電暈處理裝置在實驗的基礎上提出了拋光工藝中硫酸銨拋光液濃度的兩種確定方法。當硫酸銨研磨液濃度小于2.5wt%時，研磨電流密度顯著降低。定期測量電流值和研磨液溫度，判斷是否需要硫酸銨。其次，通過實驗得到一定溫度下磨削液用量與硫酸銨用量的關系，通過記錄磨削過程中磨削液用量，計算出硫酸銨磨削液濃度。前一種方法比較簡單，可用于一般工業(yè)生產(chǎn)；后一種方法適用于對拋光工藝效果要求較高的生產(chǎn)加工。

保護膜電暈機

與耗盡溶液相比，電暈刻蝕耗盡工藝的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在三個方面，即電暈表面處理的優(yōu)勢。電暈退鍍清洗機退鍍是一種環(huán)保工藝，沒有任何廢氣、廢液等污染物。與昂貴的耗盡解決方案相比，電暈處理器的耗盡只能消耗電能。單電暈表面處理器，每小時一次，大大降低了成本。電暈退鍍清洗機的退鍍是通過電暈輝光反應保證高密度低溫電暈獲得更好的表面活化效果。清潔表面有機物、樹脂、灰塵、油污、雜質等，增加表面能。

再來說說國內的電暈（又稱電暈器），這是一種無損的表面處理設備。它利用能量轉換技術，在一定的真空負壓下，通過電能將氣體轉化為高活性氣體電暈，對固體樣品表面進行輕柔洗滌，引起分子結構變化，從而對樣品表面的有機污染物進行超清潔。在極短的時間內，通過外置真空泵將有機污染物完全抽走，其清潔能力可達分子級。在一定條件下，樣品的表面特性也可以改變。

和銅的形成氫化物可以很容易地從材料和反應室表面除去。用H2氣體電暈或其它含H電暈刻蝕Au、Ag的原理相似，生成了能降低反應勢能的金屬氫化物。超低溫刻蝕工藝所需的硬件設置與普通電暈表面處理器電感耦合電暈(ICP)刻蝕裝置非常相似，只需安裝液氦或液氮冷卻裝置，即可將硅片襯底溫度降至-℃。在以SF和O2為電暈氣源的前提下，還可以通過電子回旋共振(ECR)刻蝕深硅溝槽或高深寬比硅結構。

這不僅降低了反應粒子的濃度，還使電暈冷卻，降低甚至停止了反應速率。1高頻感應電暈發(fā)生器又稱高頻電暈炬，或射頻電暈炬。它利用無電極的電感耦合，將高頻電源的能量輸入到連續(xù)氣流中進行高頻放電。2電弧電暈發(fā)生器又稱電弧電暈炬，或電暈噴槍，有時也稱電弧加熱器。是一種產(chǎn)生定向的能力&ldquo；低溫；電暈射流的放電裝置（約2000~20000開啟）。

一種智能化保護膜電暈處理裝置

該裝置一般可由真空室、真空泵、高頻電源、點擊器、氣體導入系統(tǒng)、工作傳動系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。常用的真空泵是旋轉油泵，保護膜電暈機高頻電源通常使用13.56MHz的無線電波。02-電暈器在大學實驗室的操作流程如下：（1）將待處理樣品放入真空室固定，啟動運行裝置，啟動排氣，使真空室真空度達到10Pa左右的標準真空度。一般排氣時間需要2min左右。（2）將電暈清洗氣體引入真空室，并保持其壓力在10Pa以內。