電暈清洗工藝不需要化學試劑，電暈法處理塑料薄膜表面因此不會造成二次污染，且清洗設備重復性強，因此設備運行成本低，操作靈活簡單，可實現金屬表面整體或部分局部、復雜結構的清洗；電暈清洗后的某些表面性能也可得到改善，有利于后續金屬加工應用。電暈主要依靠電暈中的電子、離子、激發態原子、自由基等活性離子，逐步分解金屬表面有機污染物的大分子，最終產生穩定、易揮發、簡單的小分子，最終將附著在表面的污垢徹底分離。

同理，塑料薄膜電暈處理原理通過上述過程引入氣體、電離、反應，表面改性成為親水性或疏水性，便于下一步噴涂。3.電暈還有一種和熱噴涂技術一起的噴涂技術，主要是直接噴涂大的金屬表面，效率和效果都非常好。。電暈技術提高了復合材料多部分之間的結合性能；在某些應用中，需要通過粘結工藝將多個復合材料部件連接成一個整體。在此過程中，由于復合材料表面污垢、光滑或化學惰性，復合材料部件之間的粘接過程很難通過膠合來完成。

除氣體分子、離子和電子外，塑料薄膜電暈處理原理其體內還存在電中性原子或原子團，受能的激發態激發形成自由基，并從中發光。其中，波與物質表面相互作用時，波的長度和能量起著重要作用。

顯然，電暈法處理塑料薄膜表面熱電暈不適合加工材料，因為地球上沒有任何材料能承受熱電暈的溫度。與熱電暈相比，低溫電暈的溫度僅在室溫或略高，電子溫度高于離子和原子溫度，通常可達0.1~10電子伏特。鑒于氣體壓力低，電子和離子很少碰撞，因此不能達到熱力學平衡。鑒于低溫電暈的溫度，可用于材料工業領域。通過輝光放電獲得低溫電暈：輝光放電應為低壓放電，工作壓力通常小于十毫巴。

塑料薄膜電暈處理原理

由于電暈輝光放電是由真空紫外光產生的，對刻蝕速率有正向影響，氣體中含有中性粒子、離子和電子。中性粒子具有與溫度和電子能量相對應的較高溫度，稱為非平衡電暈和冷電暈。它們主要表現為電中性（準中性）氣體的高自由基和離子活性，能量足以破壞所有化學鍵，在物質表面會表現出化學反應。通常電暈中粒子的能量是幾十電子伏特。

低溫電暈可將氣體分子解離或分解為化學活性成分，與襯底固體表面反應生成揮發性物質，再由真空泵抽走。通常有四種材料必須蝕刻：硅（雜化硅或非雜化硅）、電介質（如SiO2或SiN)、金屬（通常是鋁和銅）和光刻膠。每種材料的化學性質不同。低溫電暈刻蝕是一種各向異性刻蝕工藝，可以保證刻蝕圖形的準確性、特定材料的選擇性和刻蝕效果的均勻性。活性基團的電暈刻蝕和物理刻蝕同時發生。

3.真空電暈表面處理系統中電暈的種類根據溫度的不同，可分為高溫電暈和低溫電暈兩種。根據電暈產生所用氣體的化學性質不同，從氣體活性程度的角度可將電暈分為活性氣體電暈和惰性氣體電暈。4.電暈對物體表面的作用真空電暈表面處理系統的電暈中，除了氣體分子、離子和電子外，還存在由電暈發出的能量和光激發的電中性原子或原子團（也稱自由基）。

相信有朋友注意到了，在電暈清洗設備輝光放電過程中，真空室有時會呈現出不同顏色的工作環境，這主要是由于引入的氣體不同造成的。電暈使用的工藝氣體不同，電離后形成的電暈顏色也不同。常見的工藝氣體有氬氣、氧氣、氮氣、二氧化碳等，電暈清洗設備引入不同的工藝氣體時，也可稱為氬電暈和氧電暈&HELLIP；&Hellip；諸如此類。

塑料薄膜電暈處理原理