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電暈等離子處理機刻蝕產(chǎn)生等離子體的裝置是在密封容器內(nèi)放置兩個電極以形成電磁場，借助真空泵達到特定的真空度，汽體越來越稀薄，分子間距及分子或離子的自由運動距離也變得越來越長，受到磁場的作用，發(fā)生碰撞而形成等離子體，與此同時會發(fā)生輝光。

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可用于刻蝕表面減反射材料層的化學氣體為Cl2/SF6/CF4/CHF3/BCI3/Ar/O2的組合，等離子刻蝕matlab仿真TiN減反射膜用CI2刻蝕。 / BCI3 / N2 / CHF3。組合。另外，暴露在空氣中的鋁的氧化幾乎同時發(fā)生，因此有必要抑制或控制氧化鋁的產(chǎn)生。否則，蝕刻將停止。下面詳細描述蝕刻鋁金屬復合膜的一般程序。 ①蝕刻減反射層。 (2)預蝕刻去除表面的自然氧化層(可與步驟(1)結(jié)合使用)。