等離子設備等離子體蝕刻對HCI的影響等離子設備等離子體蝕刻工藝可靠性中的HCI指的是高能量的電子和空穴注入柵氧化層而引起器件性能退化。
注入時會產生界面態和氧化層陷阱電荷，造成氧化層的損傷，隨著損傷程度的加深，器件的電流電壓特性發生變化，當器件參數的變化超過一定限度后，器件就會失效。
熱載流子效應的抑制主要依靠選擇合適的源漏離子注入濃度和襯底注入濃度， 使用輕摻雜漏區（Lightly Doped Drain，LDD)方法能很好地抑制熱載流子效應。
等離子設備等離子體相關工藝損傷后的柵極極氧化層，其 HCI 性能明顯惡化，這是因為在等離子設備等離子體工藝過程中，柵氧中會流過一定的電流，這個充電電流會造成新的氧化層陷阱和界面態，當熱載流子注入其中時更容易造成氧化層損傷。等離子設備等離子體蝕刻對HCI的影響00224789