UHF射頻源在原理上可以實現IED方向較窄的離子能量峰，cpp電暈處理功率有助于高刻蝕選擇比的實現。但UHF射頻通常會帶來駐波效應，影響電暈均勻性，尤其是在大尺寸晶圓上。目前IED方向的改良型商用機包括東京電子公司開發的CCP機，采用負直流脈沖作為上電極，主要用于超高長寬比存儲器中電介質材料的蝕刻。其機理是當射頻同步脈沖關斷時，增加了直流量，從而增加了離子轟擊能力和電荷中和能力。

蝕刻機原理電感耦合電暈刻蝕(ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。其基本原理是在真空低氣壓下，電暈處理功率計算公式ICP射頻電源產生的射頻以一定份額輸出到環形耦合線圈；混合蝕刻氣體通過耦合輝光放電產生高密度電暈。在MI電極RF射頻的作用下，這些電暈外殼襯底表面，襯底圖形區半導體數據的化學鍵斷裂。揮發性物質隨蝕刻氣體產生，以氣體形式離開基板并從真空管路抽走。蝕刻機與光刻機的區別蝕刻比光刻容易。

同時，cpp電暈處理功率由于離子發散的方向性，側壁側壁角的一致性難以控制。因此，用于硅刻蝕的電感耦合電暈(ICP)高密度電暈設備已逐漸應用于氮化硅側壁刻蝕。由于ICP設備可以在低壓范圍內工作，離子方向性好，散射小。同時，氣體在腔內停留時間短，刻蝕均勻性好。而且在蝕刻過程中采用腔體預沉積功能，即在蝕刻每片晶圓前在腔體上沉積薄膜，蝕刻后去除腔壁上的薄膜。從而保證了晶圓蝕刻時腔體環境的一致性，大大提高了蝕刻過程的穩定性。

電暈處理技術電暈中特定顆粒的熱量一般接近或超過C-C或其他碳鍵的鍵能，電暈處理功率會改善高分子材料表面，引起原材料表面復雜的物理化學變化，如刻蝕、化學交聯等，從而提高高分子表面的接觸角和附著力。電暈清洗技術提高了電暈放電的輸出功率，增加了電暈氣氛中特定顆粒的數量和熱量，強化了樣品表面特定顆粒的蝕刻，減小了樣品表面的接觸角，提高了樣品表面的潤滑性。。

cpp電暈處理功率

電暈接枝聚合是由材料表面產生的活性自由基引發烯類單體在材料表面接枝聚合的過程。與材料表面引入的單官能團相比，接枝鏈化學性質穩定，可使材料表面具有永久親水性。接枝率與電暈處理功率、處理時間、單體濃度、接枝時間、溶劑性質等因素有關。當氮電暈作用于多孔硅表面時，保留了孔結構，提高了導光效果，減少了光吸收損失。電暈處理后活性炭比表面積減小，但大孔數略有增加，表面酸性官能團濃度增加。

因此，要有針對性地選擇電暈的工作氣體，如氧電暈去除物體表面的油脂和污垢，氫氬混合氣體電暈去除氧化層。3.放電功率：隨著放電功率的增加，可以增加電暈的密度和活性粒子的能量，從而提高清洗效果。4.曝光時間：待清洗數據在電暈中的曝光時間對其外部清洗效果和電暈運行功率有很大影響。曝光時間越長，清洗效果越好，但工作功率下降。而且，清洗時間過長可能會損害數據的外觀。

廣義的電暈還包括其他正電荷數和負電荷總數相等的帶電離子系統，如電解質溶液中的陰離子和陽離子、金屬晶格中的正離子和電子氣、半導體中的自由電子等。計算了離子改性前后CPP膜的表面接觸角，并根據Kaelble公式計算了表面能。電暈處理后，CPP薄膜的總表面能有一定程度的增加，但當增加到一定程度時，不再隨時間增加，而是趨于穩定。測定了CPP膜經電暈處理不同時間后的接觸角。

為什么電暈通常會發光？因為大多數電暈的主要功能是對材料表面的粘附處理，為了讓人直接感受到電暈，而物體表面的微刻蝕最深，所以都做成紅色可見光。你能把它做成其他顏色嗎？答案是肯定的。根據公式：波長×頻率=光速，可以改變被激發的氣態分子或原子的能級頻率，發出不同波長的光，從而產生不同顏色的光。金萊科技，專注于電暈技術研究，可根據用戶需求開發各種電暈清洗設備。滿足用戶不同的微刻蝕需求。。

電暈處理功率

當腔體真空度小于或大于設定值時，cpp電暈處理功率根據計算結果自動調整真空泵電機轉速，使電機轉速保持在設定值范圍內；當腔體真空度低于設定值時，只要腔體真空度偏離設定值，程序就會自動計算，使真空電暈真空泵的轉速保持在能保持設定值的轉速范圍內。這種控制稱為PID控制。P比公式、I積分公式、D微分公式，而PID具有適時配比功能、積分函數的偏差消除功能、微分函數的高級微調功能。

電源越大，電暈處理功率電暈能量越高，對物品表面的轟擊力越強；在功率相同的情況下，處理的產品數量越少，單位功率密度越大，清洗效果越好，但可能會造成能量過大、變色或燒板。三、電暈刻蝕機電場分布對清洗效果和物品變色的影響電暈中電暈電場分布的相關因素包括電極結構、蒸汽流向和金屬制品放置位置。