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　　但對于撓性印制電路板和剛-撓性印制電路板去除鉆污的處理上，遼寧感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕由于材料的特性不同，若采用上述化學處理法進行，其效(果)是不理想的，而采用等離子體去鉆污和凹蝕，可獲得孔壁較好的粗糙度，有利于孔金屬化電鍍，并同時具有“三維”凹蝕的連接特性。　　(3) 碳化物去除　 等離子處理法，不但在各類板料的鉆污處理方面效(果)明(顯)，而且在復合樹脂材料和微小孔除鉆污方面更顯示出其優越性。

由濕法清洗后和等離子體處理后的RHEED圖像，等離子刻蝕機 溫度ch我們發現濕法處理SiC表面呈點伏狀，這表明經濕法處理的SiC表面不平整，有局部的突出。而經過等離子處理后的RHEED圖像成條紋狀，這表明表面非常平整。 經傳統濕法處理的SiC表面存在的主要污染物為碳和氧。這些污染物在低溫條件下就可以與H原子發生反應，以CH、和H2O的形式從表面去除掉。經過等離子體處理后表面的氧的含量比傳統濕法清洗的表面氧含量顯著降低。

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針板式結構的器壁為石英玻璃管，內徑為10mm，上電極是不銹鋼空心管，下電極是帶有直徑為1 mm 孔徑的銅質篩板，上、下電極間距為10 mm；線筒式電極結構，中心電暈線（內電極）為直徑3 mm的銅電極，兩端用四氟套管絕緣，筒式電極（外電極)為長300 mm、內徑25mm的不銹鋼圓筒，反應器的有效放電長度為 mm。plasma等離子體反應器結構對CO2氧化CH4反應的影響見表4-1。

PDMS 微流控系統等離子處理的 PDMS 聚二甲基硅氧烷（簡稱 PDMS）是一種非常常見且廣泛使用的有機硅基聚合物。所有有機硅都具有重復的硅氧烷單元，每個單元由一個 Si-O 基團組成。許多側基可以連接到硅原子上。對于 PDMS，這些側基是甲基 CH3。聚合物可以與各種鏈端結合。更常見的是三甲基硅氧基Si-SH3。

等離子清洗、刻蝕產生 plasma清洗裝置是在密封容器中設置兩個電極形成電磁場，用真空泵實現一定的真空度，隨著氣體越來越稀薄，分子問距及分子或離子的白由運動距離也越來越長，受磁場作用，發生碰撞而形成等離子體，同時會發生輝光。等離子體在電磁場內空間運動，并轟擊被處理物體表面，從而達到表面處理、清洗和刻蝕的效果。

目前，我公司經過大量的實驗，選擇不同型號的油墨及粘度，調整絲印的壓力等，基本上解決了過孔空洞和不平整，已采用此工藝批量生產。。pcb板 真空等離子設備去除表面材料多晶硅雜質膠： 隨著半導體工藝技術的不斷發展，濕法刻蝕技術鑒于其固有的局限性已逐漸限制了其發展，已不能滿足VLSI微米甚至納米線材的加工要求。

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等離子體特有的清洗過程主要是基于等離子體濺射和刻蝕所帶來的物理和化學變化。 物理濺射的過程中，等離子刻蝕機 溫度ch等離子體中高能量離子脈沖式的表面轟擊會導致表面原子發生位移，在某些情況下，還會造成次表層上原子的移位，因此物理濺射沒有選擇性。在化學刻蝕的過程中，等離子體中的活性基團和表面原子，分子發生反應，產生的揮發性物質可以通過泵抽走。