等離子去膠工藝是半導體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業的重要清洗步驟。等離子去膠不僅操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔而且無劃痕、成本低、環保。
等離子去膠原理
干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環境中發生反應來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除，在反應氣體中加入氮氣或者氫氣可以提高去膠性能、加強對殘留物的去除。
等離子產生的原理是:給充入足夠的氧氣或者氬氣并且穩定的真空條件下的腔體的電極施加射頻，使得氣體產生活性等離子體，以此，在物理、化學雙重作用下對清洗的部件如砷化鎵、氮化鎵等進行表面的轟擊，將表面要去掉的物質變成了離子或者氣體，經過了抽真空排出，而達到清洗目的。
物理等離子去膠過程:主要是物理作用對清洗物件進行轟擊達到去膠的目的，主要的氣體為氧氣、氬氣等，通過射頻產生氬離子，轟擊清洗物件，以獲得表面光滑的最大化，并且結果是親水性增大，如圖1所示。
圖一https://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png物理等離子清洗
化學等離子清洗過程:清洗物的表面主要是以化學反應的形式表現作為主要的清洗目的，主要通過氧氣，即在真空反應室中通過射頻或微波能量使氧氣電離成等離子體，該等離子體中包含離子、原子、分子及電子與有機物發生化學反應，形成CO2和H2O，然后經真空泵將其抽走，達到清洗目的，如圖2所示。此外，樣品表面可以通過氧等離子體進行活化，增加表面氧鍵，為表面提供自由價電子與液體分子結合，從而進行表面改性。
有機物https://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png+http://www.92188.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.pngO2http://www.92188.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png→CO2http://www.92188.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png+http://www.92188.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.pngH2O圖http://www.92188.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png2http://www.92188.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png化學清洗
傳統主流去膠方法采用濕法去膠，成本低效率高，但隨著技術不斷迭代更新，越來越多IC制造商開始采用干法式去膠，等離子去膠工藝不同于傳統的濕法式去膠工藝，它不需要浸泡化學溶劑，也不用烘干，去膠過程更容易控制，避免過多算上基底，提高產品成品率。24424