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（包括親水性、疏水性、粘合性、阻燃性、耐腐蝕性、抗靜電性和生物相容性）。在冷等離子體發生器中，青海常壓等離子處理機批發電子能量通常在幾伏到幾十伏之間，高于聚合物中常用的結合能。因此，等離子體發生器可以在聚合物中產生足夠的能量以引起聚合物中各種化學鍵的破壞或重排。主要表現為聚合物分解、材料表面和外部氣體、單體和等離子體反應。近年來，利用等離子發生器對醫用材料進行改性已成為當前等離子技術研究的熱點。

甲基丙烯酸羥乙酯和N-乙烯基吡咯烷酮等親水性單體可以通過等離子刻蝕機接枝堆疊或輻射方法沉積在PMMA表面。在靜態接觸實驗中，青海常壓等離子處理機批發未經處理的PMMA表面處理后的細胞損傷率為10-30%，而處理后的PMMA/HEMA復合材料表層的細胞損傷率僅為10%左右，而PMMA./HEMA復合材料只有約 10% 的表層損壞。 NVP復合表層的細胞損傷僅為10%。

第三代半導體誕生！是否有更大的增長潛力？ -隨著等離子設備/等離子清洗市場對半導體性能的需求不斷提高，青海常壓真空等離子表面處理機說明書3代半導體等新型復合材料以其性能優勢開始出現，對于未來的產業來說將是一個重要的增長點觀點。與第一代（硅基）半導體相比，第三代半導體具有更大的帶隙、更高的電導率和更高的熱導率。第3代半導體的帶隙約為1、2代半導體的3倍，具有更強大的高電壓和功率能力。

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通常有四種材料必須進行刻蝕處理：硅（慘雜硅或非慘雜硅）、電介質（如SiO2或SiN）、金屬（通常為鋁、銅）以及光刻膠。每種材料的化學性質都各不相同。等離子體刻蝕為一種各向異性刻蝕工藝，可以確保刻蝕圖案的精確性、對特定材料的選擇性以及刻蝕效果的均勻性。等離子體刻蝕中，同時發生著基于等離子作用的物理刻蝕和基于活性基團作用的化學刻蝕。

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