當電子（荷電1.6×10-19庫侖）通過電場中1伏的電位差時，粉體環氧附著力促進劑電子從電場中獲得的能量為W=1eV，1eV=1.6×10-19庫侖×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV對應的溫度為11600K（開爾文溫度；開爾文）。等離子體主要通過粒子之間的碰撞相互傳遞能量，達到熱力學平衡，但各種粒子之間的碰撞概率不相等，因此傳遞能量也不相等。

當等離子體能量密度為860kJ/mol時，環氧附著力促進劑4511C2H6的轉化率為23.2%，C2H4和C2H2的總收率為11.6%。一般認為，流動等離子體反應器中高能電子的密度和平均能量主要由反應氣體流量一定時的等離子體能量密度決定。

當電子（荷電1.6×10-19庫侖）在電場中通過1伏電位差范圍時，粉體環氧附著力促進劑電子從電場中獲得的能量為W=1eV，1eV=1.6×10-19庫侖×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV對應的溫度為11600K（開爾文溫度；開爾文）。等離子體主要通過粒子之間的碰撞相互傳遞能量達到熱力學平衡，但各種粒子之間的碰撞概率不相等，因此能量傳遞也不相等。

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粉體環氧附著力促進劑

設電源內阻抗即輸出阻抗為（a+jb）Ω，為滿足在負載上Z大的功率輸出，就需要負載阻抗和高頻發生器輸出阻抗“共軛匹配”。共軛匹配可以實現將總阻抗變成純電阻的，即此時負載阻抗Z必須為（a-jb)Ω。 一種典型的高頻匹配網絡如下圖所示。

等離子體狀態中存在下列物質：處于高速運動狀態的電子；處于激活狀態的中性原子、分子、原子團（自由基）；離子化的原子、分子；未反應的分子、原子等，但物質在總體上仍保持電中性狀態。

氫氣做為活潑氣體,其等離子體具有很強的化學反應活性,氫氣等離子體形成的過程如下:H2→H2+e(1.1)H2→2H(1.2)H2+e→H2+e(1.3)H2+e→H2+hv+e(1.4)H2+e→2H+e(1.5)H2+e-H+H++2e(1.6)式1.1表示氫氣分子在得到外界能量后變成氫氣陽離子,并放出自由電子的過程。

比起其他替代材料，III-V族化合物半導體沒有明顯的物理缺陷，而且與目前的硅芯片工藝相似，很多現有的等離子體蝕刻技術都可以應用到新材料上，因此也被視為在5nm之后繼續取代硅的理想材料。

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