P是占比成效，如何提高PI薄膜附著力I是積分成效，D是求微分成效。 PID不光具有快速快速的占比成效，而且還具有積分成效的差錯清除及其求微分成效的高級調整作用。 當出現差錯階躍時，導函數將馬上起成效以抑止這類差錯彈跳； 該占比還具有清除差錯和削減差錯力度的成效。 由于占比效用是長久且占主導性的操控規律性，因此可以使內腔的真空度更為平穩； 積分成效漸漸擺脫了差錯。
這種用于等離子清潔器表面處理機的低溫蝕刻方法源于蝕刻高縱橫比硅結構的需要，PI薄膜附著力問題主要用于形成非常高縱橫比的硅材料結構。這種結構廣泛用于微機電系統（MEMS）的前端工藝和后端封裝的硅通孔（TSV）。近年來研究表明，等離子清洗機表面處理機的低溫等離子刻蝕不僅可以形成所需的特殊材料結構，而且可以減少刻蝕過程中的等離子損傷（plasma-induced damage，PID）。
在FN電流的作用下，如何提高PI薄膜附著力柵氧化層和界面都會產生缺陷，產生的損傷會引起IC成品率降低，并會加速熱載流子退化和TDDB效應，引起器件長期可靠性問題。在集成電路制造技術中，充電效應引起的柵氧化層退化是一個嚴重的問題。 引起PID的機理主要有以下幾種： (1)等離子體密度。高的等離子體密度意味著更大的電流在充電導致損傷的模型下，更高的等離子體密度更容易引起PID問題。
隨著社會的發展及技術的需要，如何提高PI薄膜附著力工業生產對生產材料的要求也不斷增強，如在微電子封裝工藝中，電子設備的小型化、高精度，對封裝工藝的可靠性提出了相應的要求，高質量的封裝技術可以提高電子產品的使用壽命。在線式等離子清洗機...
