該方法工藝簡(jiǎn)單,六方氮化硼表面改性的方法對(duì)原材料適應(yīng)性強(qiáng),但能耗高,限制了其大規(guī)模推廣。20世紀(jì)60年代,美國(guó)Ion Arc公司采用直流電弧等離子體一步熱解氧化鋯砂制備氧化鋯。20世紀(jì)70年代末,國(guó)內(nèi)以硼砂和尿素為原料,在直流電弧等離子體中制備了高純六方氮化硼粉。此外,還可以通過(guò)等離子體技術(shù)生產(chǎn)二氧化鈦。。等離子體加工技術(shù)在電子工業(yè)中的應(yīng)用主要有:電子元器件加工前處理、PCB清洗、靜電去除、LED支架、晶圓、IC的清洗或粘接等。
1.1碳纖維的結(jié)構(gòu)碳纖維具有石墨的基本結(jié)構(gòu),六方氮化硼表面改性的方法但不是理想的石墨晶格結(jié)構(gòu),而是所謂的無(wú)序石墨結(jié)構(gòu)(見圖1-1)。多晶結(jié)構(gòu)的單位是六方碳原子的層晶格,層晶格構(gòu)成層平面。層平面內(nèi)的碳原子以強(qiáng)共價(jià)鍵連接,鍵長(zhǎng)為0.1421nm;層平面之間由弱范德華力連接,層間距在0.3360~0.3440nm之間;層與層之間沒有規(guī)則的碳原子固定位置,所以層的邊緣是不均勻的。
碳原子在層與層之間沒有規(guī)則的位置,硼表面改性所以層的邊緣是不均勻的。與石墨結(jié)構(gòu)相比,碳纖維的C原子層具有不規(guī)則的平移和旋轉(zhuǎn),但由六方網(wǎng)狀共價(jià)鍵鍵合的C原子層基本平行于纖維軸線排列,導(dǎo)致碳纖維的軸向拉伸模量較高。在混沌石墨結(jié)構(gòu)中,石墨片層是最基本的結(jié)構(gòu)單元,片層之間相互交叉。
使用等離子沉積的硅化合物 SiH4 + N2O(或 Si (OC2H4) + O2)創(chuàng)建 SiOxHy。氣壓為1-5 Torr(1Torr≈133Pa),氮化硼表面改性輸出為13.5MHz。 SiH4+SiH3+N2用于氮化硅沉積,溫度300℃,沉積速率180埃/分鐘。無(wú)定形碳化硅膜由硅烷和含碳...