作為稀釋氣體，氮化硼的表面改性Ar和He對GST形態影響不大，但He用于四線圖組時，邊緣圖和中心圖的負荷較小。對于Ar，載荷更顯著，這可能是由于Ar和he 2之間存在顯著的質量差異所致。氮化鈦是GST刻蝕常用的硬掩模，其輪廓形狀直接影響底層GST的輪廓。氯氣(Cl)主要用于氮化鈦的蝕刻。
在射頻低溫等離子體發生器氮化中，氮化硼的表面改性低溫等離子體發生器的產生和襯底偏壓的產生是分開控制的，因此離子能量轉換和襯底表面通量可以分開控制。由于工作壓力相對較低，消耗的氣體量也相應減少（低）。在滲氮過程中，低能量轉換的直流輝光放電可產生NH原子，這些高活性原子可用于滲氮。整個過程需要外接電源對工件進行加熱，與氣體滲氮工藝類似。這類工業不僅可以精確控制表面拓撲結構，而且可以選擇是否形成復合層。
在等離子體表面處理改性過程中，氮化硼的表面處理改性不僅可以去除污垢(如有機物)，還可以產生一些功能極性基團，促進鍵合，通過交聯產生獎勵效應。電暈放電是許多聚合物在纏繞和涂覆過程中經常使用的一種方法，對許多聚合物具有經濟有效的作用。新開發的表面處理技術可以對射頻廠的混合氣體進行電離，并結合直流磁控濺射技術，利用等離子體處理技術對其表面進行氧化、氮化、氨化或水解等處理，以提高材料的表面能，改善其結合性能。
氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，氮化硼的表面處理改性其性能高度依賴于薄膜的制造條件。等離子化學氣相沉積（簡稱PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺階覆蓋率好等優點。 PECVD氮化硅薄膜技術廣泛應用于半導體器件和集成電路的開發、芯片固定化膜的制作、多層布線之間的介質膜的制造，并已發展為大規模和超大規模集成。
