作為稀釋氣體，氮化硼的表面改性Ar和He對GST形態(tài)影響不大，但He用于四線圖組時，邊緣圖和中心圖的負荷較小。對于Ar，載荷更顯著，這可能是由于Ar和he 2之間存在顯著的質量差異所致。氮化鈦是GST刻蝕常用的硬掩模，其輪廓形狀直接影響底層GST的輪廓。氯氣(Cl)主要用于氮化鈦的蝕刻。

在射頻低溫等離子體發(fā)生器氮化中，氮化硼的表面改性低溫等離子體發(fā)生器的產生和襯底偏壓的產生是分開控制的，因此離子能量轉換和襯底表面通量可以分開控制。由于工作壓力相對較低，消耗的氣體量也相應減少（低）。在滲氮過程中，低能量轉換的直流輝光放電可產生NH原子，這些高活性原子可用于滲氮。整個過程需要外接電源對工件進行加熱，與氣體滲氮工藝類似。這類工業(yè)不僅可以精確控制表面拓撲結構，而且可以選擇是否形成復合層。

在等離子體表面處理改性過程中，氮化硼的表面處理改性不僅可以去除污垢(如有機物)，還可以產生一些功能極性基團，促進鍵合，通過交聯(lián)產生獎勵效應。電暈放電是許多聚合物在纏繞和涂覆過程中經常使用的一種方法，對許多聚合物具有經濟有效的作用。新開發(fā)的表面處理技術可以對射頻廠的混合氣體進行電離，并結合直流磁控濺射技術，利用等離子體處理技術對其表面進行氧化、氮化、氨化或水解等處理，以提高材料的表面能，改善其結合性能。

氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，氮化硼的表面處理改性其性能高度依賴于薄膜的制造條件。等離子化學氣相沉積（簡稱PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺階覆蓋率好等優(yōu)點。 PECVD氮化硅薄膜技術廣泛應用于半導體器件和集成電路的開發(fā)、芯片固定化膜的制作、多層布線之間的介質膜的制造，并已發(fā)展為大規(guī)模和超大規(guī)模集成。

氮化硼的表面改性

磷樹脂在燃燒時，熱分解后生成重磷酸，脫水能力極強，使聚合物樹脂表面形成碳化膜，隔離樹脂燃燒表面與空氣的接觸，使火災熄滅，達到阻燃效果。一種含有磷和氮化合物的聚合物樹脂，在燃燒過程中產生不可燃氣體，幫助樹脂體系阻燃無鹵素平板的特性由于鹵原子被P或N取代，在一定程度上降低了環(huán)氧樹脂分子鍵段的極性，從而提高了絕緣性能和耐磨性。

因為氮化硅側墻蝕刻可以停止在下面的氧化硅層上，所以不會對硅有影響 這樣的側墻也叫氮化硅側墻或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)側墻。到了0.18μm時代，這個氮化硅側墻的應力太大，會造成飽和電流降低，漏電增加。為了降低應力，需要提高沉積溫度到700℃，量產的熱成本將會提高，同樣會增加漏電。因此在0.18μm時代選用ONO側墻。

有機大分子的化學鍵可以被完全破壞形成新的鍵，但遠低于高能輻射射線，高能輻射射線只涉及材料表層，不會影響其性能。在低溫等離子體中，處于非熱力學平衡狀態(tài)的子粒子具有較高的動能，能打破材料表層分子的化學鍵，提高粒子的化學反應活性（大于熱等離子體）；結果表明，中性粒子的溫度接近常溫，有利于熱敏聚合物表面層的改性。1.硅膠表面具有表面能低、潤濕性差、結晶度高、非極性分子鏈、弱邊界層等特點，對環(huán)境友好。

2.可清除FPC柔性板上的干膜殘留物。3.等離子清洗技術后，能有效加強焊接字符的附著力，防止其脫落。4.針對電子/電路板行業(yè)，起到活化、改性、噴涂的作用。與傳統(tǒng)清洗方式相比，等離子清洗有哪些優(yōu)勢：1.經等離子清洗技術清洗后，清洗物品已徹底干燥，無需再次干燥即可送往下一道工序。2.未采用三氯乙基甲基ODS有害溶劑，等離子體清洗技術清洗后不會產生有害物質，屬于環(huán)保綠色清洗方法。

氮化硼的表面改性

除此之外，氮化硼的表面改性還會造成資料表面產生交聯(lián)反響，所謂交聯(lián)，主要是自由基經過重新組合之后，表面會構成網(wǎng)狀交聯(lián)層。 然后，等離子表面改性進程中，會引入極性基因安排。放電控件反響活性粒子和資料表面的自由基產生結合，然后引入活性十分強的極性基因。

半成品的粘合性能受環(huán)境（溫度、濕度、光照、通風等）、膠料的保質期和粉塵等因素的影響。粘接和加油過程復雜，氮化硼的表面處理改性需要很多工藝點，并且受溫度和濕度的影響很大。在溫差較大的季節(jié)，更容易出現(xiàn)膠粘劑變化的問題。時間，它不環(huán)保，影響操作者的健康和安全。和其他嚴重缺陷。如今，等離子車架機中的低溫等離子技術廣泛應用于汽車行業(yè)材料的表面處理，用于對儀表、座椅、發(fā)動機、輪輞、汽車油漆和橡膠密封件等零件進行改性。