他在兩家主要蝕刻設(shè)備制造商的獨特和成功經(jīng)驗，CCP蝕刻設(shè)備使他能夠升級對應(yīng)于不同技術(shù)節(jié)點的蝕刻機。2004年，他辭去應(yīng)用材料副總裁一職，回到中國目前，中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司研發(fā)的等離子清洗機CCP蝕刻機，采用超高頻和低頻混合射頻解耦的無功等離子源，獨特的多反應(yīng)腔雙反應(yīng)平臺系統(tǒng)，在蝕刻28nm邏輯低介電材料和存儲器介電材料方面取得突破性進(jìn)展，并進(jìn)入市場。

有幾種情況:A、電容封裝會導(dǎo)致寄生電感;電容帶來一些等效電阻;電源引腳和解耦電容之間的導(dǎo)線會引入一些等效電感;接地引腳和接地平面之間的導(dǎo)體會引入一些等效電感。由此產(chǎn)生的效果:a .電容在特定頻率會產(chǎn)生共振效應(yīng)，CCP蝕刻設(shè)備它產(chǎn)生的網(wǎng)絡(luò)阻抗會對相鄰頻段的信號產(chǎn)生較大影響;等效電阻(ESR)也會影響高速噪聲解耦所形成的低電阻路徑。以下總結(jié)了這對數(shù)字設(shè)計師的影響:A.設(shè)備上的Vcc和GND引腳的引線需要被視為小電感。

中國大陸已成為全球最大的銅復(fù)板生產(chǎn)地，CCP蝕刻全球工業(yè)產(chǎn)值份額達(dá)到65%，但大部分產(chǎn)能停留在低端領(lǐng)域，國內(nèi)銅復(fù)板的平均單價遠(yuǎn)低于世界其他國家。CCL供應(yīng)鏈透露，銅箔目前處于嚴(yán)重需求狀態(tài)，交貨期不斷延長，價格也一波接一波上漲。這一次，大多數(shù)業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，電動汽車和5G的機遇已經(jīng)到來。在新的銅箔生產(chǎn)能力建立起來之前，供應(yīng)短缺可能會成為2-3年的日常問題。

除了通道通孔生產(chǎn)的中高寬高比帶來的三個主要挑戰(zhàn)之外，CCP蝕刻接觸孔蝕刻需要提供更高的蝕刻停止層選擇比。通常使用電容耦合等離子體蝕刻(CCP)來完成這一過程。與通道透孔蝕刻的工藝要求相似，接觸孔蝕刻也需要比邏輯蝕刻工藝更強的偏置功率，通常需要增加三倍以上。同時,低頻率偏差權(quán)力是用來提供離子自由程長,以提高等離子體腐蝕的能力達(dá)到接觸孔的底部,以避免變形的底部接觸孔的側(cè)壁,并降低蝕刻停止的可能性。

CCP蝕刻

成像系統(tǒng)增加紅外過濾裝置清潔技術(shù)的應(yīng)用:紅外過濾器前面的涂層表面通常都是用超聲波清洗機和等離子設(shè)備清洗的，但要想對基材表面得到超凈，需要進(jìn)一步用等離子清洗，不僅可以去除基材表面看不見的有機殘留物，還可以利用等離子體活化和腐蝕等手段對基體表面進(jìn)行腐蝕。手機攝像頭模塊(CCM)是手機內(nèi)置的攝像頭/攝像頭模塊。按鍵通過攝像頭鏡頭、icCOMS、PCB /FPCpcb電路板和RF連接器連接到手機主板上。

表8.2不同流量比Cl2/CH4/N2/Ar的刻蝕結(jié)果runno .Cl2/sccmN:/sccmAr/sccmEtchRate/(m/min) selectivitinp:SiO2RMS/nm150101.11328.7:1.>2525370.49311.5;118.2235550.40713.0:1.15.8845730.3229.35:1.1.0758350.76817.0:1.>以上方法均在ICP機上實現(xiàn)，較早的研究也在RIE機上進(jìn)行，探討壓力對磷化銦蝕刻的影響。

進(jìn)口美國電子流量計，由模擬量輸入輸出，量程0 ~ 200sccm可在量程內(nèi)無級調(diào)節(jié)，根據(jù)質(zhì)量流量計的特殊工藝要求可采用PLC PID調(diào)節(jié)并實現(xiàn)真空度的控制。根據(jù)特殊工藝要求可采用干式泵、尾氣處理設(shè)備、濾油器、濾油器回油裝置等電極結(jié)構(gòu)高離子通量設(shè)計可以提高等離子體的均勻性和穩(wěn)定性。。

而含有特定官能團(tuán)的數(shù)據(jù)會受到氧或分子段運動的影響，使外部的特定官能團(tuán)消失。因此，等離子體處理數(shù)據(jù)的表面活性具有一定的時效性。低溫等離子體清洗機graftingIn等離子體表面的數(shù)據(jù)的修改,由于特定的影響粒子在等離子體表面上分子,表面分子鏈分裂成新的特定的官能團(tuán)如自由基和雙鍵,然后表面交聯(lián)occur.4接枝反應(yīng)。

CCP蝕刻機器

焊接后，CCP蝕刻機器會出現(xiàn)空腔率增大，導(dǎo)致接觸電阻增大，熱阻增大，粘結(jié)強度下降。除射頻清洗外，還可以對晶圓片進(jìn)行硫化銀和氧化處理。用銅等方法去除銀很難不損傷芯片。采用Ap-0清洗機，清洗劑采用氬氣。機身，清洗功率200~300W，清洗時間200~300s。容量400cc，通過射頻等離子芯片背面，硫化。去除銀和氧化銀，確保貼片質(zhì)量。從銀板背面去除硫化物的典型方法。厚膜基板導(dǎo)致有機污漬的去除。

機身，CCP蝕刻機器清洗功率200~300W，清洗時間200~300s。采用射頻等離子芯片背板，400cc容量，硫化。去銀、氧化銀，確保貼片質(zhì)量。從背銀板上去除硫化物的一種典型方法。除去厚膜基板導(dǎo)向帶上的有機污漬。如果發(fā)生這種情況，混合電路將使用錫膏、粘合劑和助焊劑，以及有機溶液代理與其他材料聯(lián)系。在厚膜基板上的有機物導(dǎo)帶的表面，例如有機污物導(dǎo)帶。膠粘劑二極管的使用會改變二極管的導(dǎo)通電阻。