由于具有高的能量密度和電子密度使得電弧放電可以在相對(duì)低的電場(chǎng)（通常500-5000Vm-1）下達(dá)到107-109Am-2的高電流密度。電弧的溫度可以達(dá)到5000-50000K。1.2等離子體炬技術(shù)人們已研制開(kāi)發(fā)了各種各樣的等離子體炬。圖1示意性的畫(huà)出了兩種典型的等離子體炬構(gòu)型，等離子體化學(xué)與工藝 趙化橋pdf左側(cè)是使用金屬作為電極的，右側(cè)的是采用無(wú)電極的射頻等離子體。

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經(jīng)過(guò)等離子體清洗機(jī)處理芯片和封裝載板，等離子體化學(xué)與工藝 趙化橋pdf不僅能夠獲得超清潔的焊接外表，還能夠大大進(jìn)步焊接外表的活性，有用防止虛焊，削減空泛，提高填料的邊際高度和包容性，提高封裝的機(jī)械強(qiáng)度，削減不同材料的熱膨脹系數(shù)在界面之間構(gòu)成的內(nèi)應(yīng)剪切力，提高產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。。

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等離子體刻蝕設(shè)備中的靜電吸盤

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在等離子體蝕刻中，基于等離子體作用的物理蝕刻和基于活性的蝕刻同時(shí)發(fā)生。自由基作用的化學(xué)蝕刻。等離子蝕刻工藝從相對(duì)簡(jiǎn)單的平板二極管技術(shù)開(kāi)始，發(fā)展成為價(jià)值數(shù)百萬(wàn)美元的組合腔室，配備多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外壁溫度控制器和薄膜特定設(shè)計(jì)。有多種過(guò)程控制傳感器可供選擇。可以蝕刻的電介質(zhì)是二氧化硅和氮化硅。

而等離子表面處理機(jī)蝕刻后的特征尺寸測(cè)量值與目標(biāo)值的差異，可以反饋到修整曲線的修正，以消除由于蝕刻腔體條件變化對(duì)特征尺寸的影響，稱之為后反饋(Feedback)。 多晶硅柵的特征尺寸均勻性決定了飽和電流的收斂程度。目前業(yè)界主流的多晶硅柵蝕刻機(jī)臺(tái)都配備了多區(qū)溫控靜電吸盤，通過(guò)控制晶片上不同區(qū)域的溫度，從而控制線條側(cè)壁上副產(chǎn)物的吸附，起到控制線條特征尺寸的目的。

等離子體化學(xué)與工藝 趙化橋pdf

等離子刻蝕是一種各向異性刻蝕工藝，等離子體化學(xué)與工藝 趙化橋pdf它保證了刻蝕圖案的準(zhǔn)確性（精密度）、特定材料的選擇性以及刻蝕效果（效果）的均勻性。在等離子體蝕刻中，基于等離子體作用的物理蝕刻和基于反應(yīng)性基團(tuán)作用的化學(xué)蝕刻同時(shí)發(fā)生。等離子蝕刻工藝從相對(duì)簡(jiǎn)單的平板二極管技術(shù)開(kāi)始，發(fā)展成為價(jià)值數(shù)百萬(wàn)美元的組合腔室，配備多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外壁溫度控制器和薄膜特定設(shè)計(jì)。有多種過(guò)程控制傳感器可供選擇。可以蝕刻的電介質(zhì)是二氧化硅和氮化硅。