這一點很重要，外延片刻蝕設備因為鍺的多層結構一般是外延產生的，而鍺的感應層和層間結構一般都是合金材料，選擇高比例的工藝可以更好地控制這種多層結構的刻蝕。我們知道CF4也是一種高活性化學蝕刻氣體。從效果上看，在CF4中加入人氧的蝕刻選擇率較高，因為氧氣更容易與底層材料(Sn)發生反應，形成表面保護膜，防止進一步蝕刻，提高了選擇率。CF4蝕刻的形貌較好，而氯蝕刻的優點是損傷小，有利于界面層和通道層。

硅片作為晶圓制造的原材料，外延片刻蝕機器其質量的好壞直接決定了晶圓制造的穩定性。90%以上的半導體芯片是由硅片制成的。所生產的半導體硅片可分為拋光硅片、退火硅片、外延硅片、分段硅片和絕緣體硅片。其中，一些拋光片應用廣泛，數量也大，其他半導體硅產品也是在拋光片的基礎上進行二次加工。

因為金剛石膜可以很難保持涂層、光學窗口、散熱材料、微電子等許多類別，外延片刻蝕機器所以科學家們認為當人類掌握金剛石膜的制備技能，尤其是單晶金剛石膜的制備技能時，但目前關于金剛石膜的等離子體化學氣相積累機理尚不清楚，特別是單晶金剛石膜的異質外延困難，主要原因是:低溫等離子體處于熱非平衡狀態，所使用的反應氣體也是多原子分子，反應體系復雜，缺乏基礎數據。

硅大規模集成電路和半導體激光器的發明，外延片刻蝕設備使世界進入了以微電子、光電子技術為基礎的信息時代，極大地促進了社會經濟的發展。分子束外延技術是制造雙異質結激光器的關鍵技術。1968年，貝爾實驗室的卓義和發現，通過仔細控制光束的大小和時間，可以在超高真空容器中生長不同層和不同種類的半導體材料，從而發明了分子束外延技術。分子束外延器件原理圖如圖11所示。

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干蝕刻的電感耦合體硅腐蝕硅蝕刻機,使用哈佛商業評論/ O2氣體過程中,側墻和門硬掩模層選擇率高,能有效防止polysilicide門的接觸,避免在隨后的外延過程中,多余的硅鍺的生長缺陷在城門口。這種鍺硅過剩的缺陷會導致柵極和通孔的短路故障。濕法蝕刻采用四甲基氫氧化銨，無色或淡黃色液體，具有類似胺味，易溶于水，其溶液為強堿性溶液，在半導體中除常用作顯影劑經曝光工藝外，也常用作硅蝕刻液。

蝕刻條件:Cl2:CH4:Ar=12∶12:3,4 mt, TCP為0 w，偏置電壓為300 v，計算蝕刻速率為8600/min, SiN的選擇比為10∶1，可以滿足當前工藝的要求。但是這種方法的缺點也很明顯:副產物完全揮發，對圖的側壁保護不夠，導致整體形狀會凹進去。然而，無論是作為柵極、外延層還是掩膜，這種形貌都難以滿足器件的性能要求。

特斯拉在業內率先使用碳化硅(SiC)代替IGBT，但為了提高5%的續航里程，其成本是IGBT的幾倍。由于特斯拉的引導作用，地球上采用碳化硅作為動力裝置的速度可能加快了一倍。這不僅對電動汽車行業，而且對其他行業的節能減排有著巨大的積極的促進作用。碳化硅動力器件在新能源汽車及其配套領域應用潛力巨大。氮化鎵在微波射頻領域是一種備受追捧的新材料。氮化鎵襯底材料生長困難，主要是在非均相襯底上外延生長。

這種材料結構的表面層向外延伸，在材料的頂部形成活性層，使橡膠能夠被印刷、粘合和涂覆。采用等離子清洗機進行橡膠表面處理，操作簡單，清洗效果好，工作效率高，運行成本低。使用等離子清洗設備會使材料表面產生各種物理化學變化，或腐蝕，或形成致密的交聯層，使其具有親水性。綁定屬性。可染色的。生物相容性和電性能得到了改善。采用等離子清洗機對硅橡膠進行表面處理，產品表面的親水性和附著力會顯著提高，表面一層不隨時間恢復。

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為了避免物理轟擊對元器件成型電路帶來不可預知的損壞，外延片刻蝕現在主流的等離子清洗機逐漸采用微波等離子清洗機(百度search)。其優點是表面電子能比射頻小2個數量級，對目標可以說是無損的。。磷化銦不僅可以作為外延層的襯底材料，而且本身也可以作為通道材料或電極材料，所以與其他三組和五組材料相比，磷化銦材料等離子體刻蝕清洗機等離子體刻蝕的研究也更多。用CH4和H2蝕刻磷化鋼是較早的方法。