圖8兩種方法的ICP結構用于等離子體刻蝕的ICP源一般為平面結構，雙津高附著力鍍鋁CPP膜該方法容易取得可調的等離子體密度和等離子體均勻性分布，此外平面ICP源使用的介質窗也易于加工。石英和陶瓷是常用的介質窗資料。此外感應耦合ICP源也存在容性耦合，介質窗作為線圈和等離子體之間的耦合層是作為一個電容器存在，在線圈的輸出端電壓抵達2000V時，容性耦合將會構成。

電感耦合等離子體中的電子繞磁力線運動，雙津高附著力鍍鋁CPP膜比電容耦合機中的自由程大，能在較低的壓力下激發等離子體。等離子體密度比電容耦合等離子體高約兩個數量級，電離率可達1%～5%。等離子體的直流電位和離子轟擊能量約為20～40V。與電容耦合等離子體相比較；ICP的離子通量和離子能量可獨立控制。為了更好地控制離子轟擊能量，通常將另一個RF電源電容耦合到放置襯底的晶圓上。

刻蝕機的原理　　感應耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，雙津高附著力鍍鋁CPP膜簡稱ICPE）是化學進程和物理進程共同作用的結果。

CPP膜經等離子體處理，雙津高附著力鍍鋁CPP膜其極性分量在總表面能中所占比例減小，而色散分量在總表面能中所占比例卻增加。同時，當放置大約10h左右時，表面能及其極性分量和色散分量基本就已降到最低。而當放置10h以后，極性分量和色散分量變化基本趨于平衡狀態。由上述可知，總表面能的下降是由于其中的極性分量減小而引起的，當極性分量減小時，其總表面能就下降，潤濕性降低；當極性分量增加時，其總表面能就上升，潤濕性增加。

雙津高附著力鍍鋁CPP膜

等離子體表面處理可顯著提高CPP膜的表面潤濕性:總表層隨時間的增加而減少，極性組分占總表層的比例降低(P/(8+))%，分散組分占比例增加(18/(σ+ jun))%。等離子體表面處理器處理CPP薄膜時，極性組分占總表面層的比例降低，而分散組分占總表面層的比例增加。同時，當上下放置至少10h時，面層、極性分量和彌散分量幾乎減少到最小。而10h后，極性分量和色散分量變化基本趨于平衡。

等離子體表面處理設備和技術在塑料和電子行業的應用包括塑料、高分子材料、夾層玻璃、織物、金屬材料等，涉及各個領域，在塑料和塑料行業的一些制造行業的實際應用，等離子體表面處理設備和技術在汽車制造業中的應用。塑料塑料行業使用等離子體表面處理設備的應用案例:單表面預處理PP膜穩定耐用，可作為水基分散粘結劑;清潔塑料玩具、奶瓶、奶嘴、洗發水等塑料制品的等離子臺面表面處理設備;3。

PGP方法首先利用等離子體作用激活表面，然后引入活性基團，再用接枝的方法將原表面上的多個活性支鏈連接起來形成一個新的表面。PPD法是通過控制工藝條件，將有機化合物氣體形成等離子態，使其沉積在處理表面形成覆膜的方法。后兩個是遞增的。。

在正常情況下，一般認為一種物質具有三種狀態：固態、液態和氣態。這三種狀態的區別在于物質中包含的能量。氣態是物質三種狀態中能量最高的狀態。當給氣態物質更多的能量（例如加熱）時，就會形成等離子體。當達到等離子體狀態時，氣態分子分解成大量高反應性粒子。這些裂變不是永久性的。當用于形成等離子體的能量耗盡時，各種粒子重新組合形成原始氣體分子。

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等離子體和固體、液體或氣體一樣，雙津高附著力鍍鋁CPP膜是物質的一種狀態，也叫做物質的第四態。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態。等離子體的"活性"組分包括：離子、電子、活性基團、激發態的核素（亞穩態）、光子等。等離子表面處理（點擊了解詳情）設備就是通過利用這些活性組分的性質來處理樣品表面，從而實現清潔、改性、表面涂層等目的。