同時，密封條plasma除膠機器這些懸空鍵以 OH 基團的形式存在，從而形成穩定的結構。浸漬（有機）或無機堿退火后，表面Si-OH鍵脫水并會聚形成硅-氧鍵。這提高了晶體表面的潤濕性，使晶體成為可能。對于材料的直接鍵合，親水晶片表面在自發鍵合方面優于疏水晶片表面。

這有助于引發進一步的反應。離子對物體表面的作用通常是指帶正電的陽離子的作用。陽離子傾向于向帶負電的表面加速。此時，密封條plasma表面清洗物體表面獲得足夠的動能。它與粘附在表面上的顆粒碰撞并去除它們。這種現象稱為濺射。離子碰撞可以大大增加物體表面發生化學反應的可能性。紫外光與物體表面的反應 紫外光具有很強的光能，可以破壞和分解附著在物體表面的分子鍵，紫外光的強度足以穿透物體表面，具有穿透能力.它對微米有一些影響。

因此，密封條plasma除膠機器提高C2烴的選擇性和C2烴的收率是研究的基礎。

分子和原子的內部結構主要由電子和原子核組成。在正常情況下，密封條plasma表面清洗上述前三種物質形態，電子與原子核的關系是相對固定的。即電子以不同的能級存在于原子核周圍，其勢能或動能并不大。 它由離子、電子和非電離中性粒子的集合組成，整體處于中性狀態。當普通氣體的溫度升高時，氣體粒子的熱運動變得強烈，粒子之間發生強烈的碰撞，原子或分子中的許多電子被撞出。當溫度達到 1 到 1 億開爾文時，所有氣體原子都被完全電離。

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這是因為當CO2濃度高時，體系中的活性氧過多，它們與CH4分子相互作用產生氧化產物，并與產生的C2烴產物相互作用轉化C2H6，這是為了促進它。將 C2H4 和 C2H2 轉化為氧化產物。 CO 產率隨著 CO2 濃度的增加而增加，當 CO2 濃度超過 50% 時達到一個恒定值。同時，隨著系統中 CO2 濃度從 15% 增加到 85%，產品中 H2 與 CO 的摩爾比從 3.5 下降到 0.6。

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