當粒子的熱速度遠小于波速，電暈處理強度與什么有關回轉半徑（磁化電暈）遠小于波長時，稱為冷電暈，用磁流體動力學方法研究其波動現象。非磁性冷等離激元中的波具有光波，其速度大于其真空光速C。對于磁性電暈，它具有各向異性，介電常數變成張量。正如其他各向異性介質中存在兩種波一樣，磁化冷電暈中也存在兩種波：普通波和非常波。

其工作原理是利用超聲波在液體中的空化、加速和直接流動，電暈處理強度與什么有關直接和間接作用于液體和污垢，使污垢層分散、乳化、剝離，達到清洗的目的。而我們的電暈就是給氣體施加足夠的能量，使其電離到電暈狀態。電暈就是利用這些活性成分的性質對樣品表面進行處理，從而達到清洗等目的。此外，電暈還具有表面改性、提高產品性能、去除表面有機物的功能。因此，它完全不同于超聲波清洗機的概念，或者說普通的藥物清洗。

相對而言，電暈處理強度干洗在這方面很有特點，尤其是電暈技術已逐步應用于半導體材料、電子元器件組裝、精密機械制造、醫療器械等行業。因此，我們都需要掌握電暈技術與普通濕式清洗的區別。濕法清洗主要依靠物理和有機化學溶液的作用，如超聲波、噴霧、旋轉、沸騰、汽搖等物理作用去除污染，在化學藥劑的作用下吸收、滲透、熔融、分散。

目前對PEF殺菌機理假說的主要觀點有崩解模型和電穿孔模型。2.電暈PEF電暈處理電離模型：該模型將微生物的細胞膜看作一個充滿電解質的電容器。在無電場條件下，電暈處理強度細胞膜兩側的電位差很小，但在電場作用下，細胞膜兩側會形成跨膜電位差，跨膜電位差與電場強度和細胞直徑呈正相關。隨著電場強度的增加，跨膜電位差增大，細胞膜厚度減小。隨著臨界崩解電位差的增大，細胞膜開始崩解，細胞膜上出現孔洞。

普通膠帶膜電暈處理強度

5.檢查電暈器噴嘴與材料的距離是否在正常范圍內（直噴距離為10-20mm，旋轉距離為6-10mm)；6.清理設備內部的灰塵、污物和異物，停電后用吸塵器、酒精、無塵布清除灰塵、污物和異物；每周維護策略：1.保持機器清潔，清潔機器表面和內部；2.每周檢查一次空氣濾清器有無水污染和油污；3.檢查噴管與主機之間的高壓電纜應自然走線，禁止大角度彎曲；每月維護策略：1.主機內風機、高壓變壓器表面灰塵每月用刷子清除，惡劣環境表面灰塵每半月清除一次；2.建議每季度給軸承上一次油；3.檢查電暈火焰強度是否符合產品處理標準。

塑料在硬度、剛度和強度方面低于金屬建筑材料。各種共聚物可能具有類似橡膠的彈性性質。塑料可以通過添加劑和填料進行多種改性，使其電導率也可以調節，例如，或通過使用高性能纖維進行增強處理，獲得優于鋼的剛度。電暈清洗，又稱電暈表面處理，在放電電極上施加高頻、高壓，以產生大量電暈氣體，直接或間接地與聚烯烴表面分子相互作用，在表面分子鏈上產生羰基、含氮基團等極性基團，表面張力明顯（明顯）提高。

3.采用低溫電暈道路的不同分類可分為：抗靜電數據，導電數據，電磁波屏蔽數據。導電填料對電導率的影響可以用隧道理論來解釋。導電塑料也可以導電，因為電子可以通過導電填料之間的間隙。在一定的臨界濃度下，只要導電填料之間的距離減小一小部分，電子就可以通過導電填料之間的孔隙而導電。此時電阻率突變，導電塑料由原來的絕緣體變為導體，產生逾滲效應。炭黑填充LDPE復合材料的滲流濃度與炭黑的結構有關。

材料氣體泄漏是材料的泄漏率，每種材料不同，主要由材料的密度決定，密度越大，材料的泄漏率越高，材料的泄漏率越低；密度越高，分子間隙越小，密度越小，分子間隙越大，分子間隙中含有氣體，在真空狀態下，一種物質內部的分子間隙越小，氣體慢慢從物質內部排出，直到壓力平衡，這個過程比較緩慢，所以真空電暈的真空抽真空到一定程度后，真空度降低。真空度下降的速度與放料的數量有關，放料的速度也有關。

普通膠帶膜電暈處理強度

因此，電暈處理強度生長出的晶體的方向性由籽晶決定，將其拉出冷卻后，生長成晶格方向與籽晶內晶格相同的單晶硅棒。單晶棒通過提拉法生長后，將按照合適的尺寸進行切割，然后研磨，將凹凸切口磨去，再通過化學機械拋光工藝將單晶棒至少一側制作成光滑如鏡，晶圓制造完成。單晶硅棒的直徑由籽晶的牽拉速度和旋轉速度決定。一般來說，拉速越慢，單晶硅棒直徑越大。切下的晶圓的厚度與直徑有關。

資料顯示，電暈處理強度在研究電暈清洗的效率時，不同公司的不同產品在鍵合前使用電暈清洗，對鍵合引線的抗拉強度增加幅度不同，但對提高器件可靠性非常有利。用Ar電暈將樣品置于電極板上。當射頻功率為200W～600W，氣壓為mT～120mT或140mT～180mT時，樣品清洗10m在~15min內，可獲得較好的清洗效率和結合強度。直徑為25μm的金絲經電暈清洗后，平均結合強度可提高到6.6gf以上。