例如，電暈處理硅膠表面氧電暈氧化性高，可氧化光刻膠產生氣體，從而達到清洗效果；腐蝕氣體的電暈具有良好的各向異性，可以滿足刻蝕的需要。電暈處理會發出輝光，故稱輝光放電處理。真空電暈設備電暈處理的機理主要依靠電暈中活性粒子的“活化”來去除物體表面的污漬。

在pcb印刷電路板生產過程中具有良好的實用性，電暈處理硅膠表面是一種清潔、環保、高效的清洗方法。電暈表面處理技術是一種新型半導體制造技術。該技術在半導體制造領域應用較早，是必不可少的半導體制造工藝。因此，它是IC加工中一項長期而成熟的技術。由于電暈是高能量高活性物質，對任何有機材料都有很好的刻蝕效果，電暈制作是一種干法工藝，不會造成污染，因此近年來被廣泛應用于pcb印制電路板的制作。

說到汽車儲物箱，電暈處理機電暈機人們應該會想到靜電植絨，那么低溫電暈在儲物箱植絨過程中能起到什么作用呢？以往在植絨過程中，通常在基材上膠前先涂一層底漆，這是為了方便膠水與收納盒更好地結合。低溫電暈表面處理技術可替代涂膠前的底漆涂裝工藝。據試驗統計，電暈處理后的鍵合效果更好，降低了生產成本。

由于采用氣體作為清洗處理的介質，電暈處理機電暈機可有效避免樣品的再次污染。電暈不僅能加強樣品的附著力、相容性和潤濕性，還能對樣品進行消毒殺菌。電暈已廣泛應用于光學、光電子、電子學、材料科學、高分子、生物醫學、微流體等領域。

電暈處理硅膠表面

金屬條一般為鋁薄或銅薄。原來的濕式乙醇清洗容易對鋰電池的其他部件造成損傷。干式電暈可以有效地解決上述問題。。常用的電暈激勵頻率有三種：激勵頻率為40kHz的超聲電暈、激勵頻率為13.56MHz的射頻電暈和激勵頻率為2.45GHz的微波電暈。不同電暈的自偏壓不同，超聲電暈的自偏壓約為0V，射頻電暈的自偏壓約為250V，微波電暈的自偏壓很低，只有幾十伏。

根據電暈產生的條件，電暈可分為真空電暈或大氣電暈。真空電暈加工廣泛應用于微電子領域，但在線處理要求大氣法。去除的污染物可能是有機物、環氧樹脂、光刻膠、氧化物、顆粒污染物等，實際上電暈器可以對樣品進行表面改性，去除表面的有機物，從而實現各種材料的粘接和涂層。廣泛應用于光學、光電子、電子學、材料科學、生命科學、高分子科學、生物醫學、微流控等領域。。

（1）在晶圓制造中的應用在晶圓制造中，光刻用四氟化碳氣體蝕刻硅片，電暈用四氟化碳去除氮化硅蝕刻和光刻膠。電暈可以在晶圓制造中用純四氟化碳氣體或氮化硅中的四氟化碳和氧氣去除微米光刻膠。(2)PCB制造應用電暈蝕刻尤其早于電路板制造行業，在硬質電路板和柔性電路板的生產過程中，傳統的工藝都是采用化學清洗。

我們應該考慮這樣一個無碰撞的過程：熱運動速度&Nu；運動的電子，無論它們如何進入皮膚深度&δ；會在強感應電場區域回到電暈中。電子通過這個電場區的時間&δ；/&nu；約等于或略小于高頻電壓周期2&pi；/&Omega；電子的加速和減速是隨機發生的，電子經過統計平均后可以高效地獲得能量，這就是反常趨膚效應。

電暈處理硅膠表面