在非熱力學平衡低溫電暈中，電暈處理失效的影響因素電子具有更高的能量，可以打破材料表面分子的化學鍵，提高粒子的化學反應活性（高于熱電暈），而中性粒子的溫度接近室溫。這些優點為熱敏性聚合物的表面改性提供了適宜的條件。經低溫電暈表面處理后，材料表面發生許多物理和化學變化，如刻蝕和粗糙，形成致密的交聯層，或引入含氧極性基團，分別提高親水性、附著力、染色性、生物相容性和電學性能。

離子轟擊對清洗后的表面造成損傷，電暈處理機薄膜表面使其化學鍵減弱或形成原子狀態，容易吸收反應物。離子碰撞加熱了清洗后的物質，使其更容易反應；其效果不僅有較好的選擇性、清洗率、均勻性，而且有較好的方向性。典型的電暈物理清洗工藝是氬電暈清洗。氬本身是惰性氣體，電暈氬不與表面發生反應，而是通過離子轟擊清潔表面。典型的電暈化學清洗工藝是氧電暈清洗。

電暈是物質的一種狀態，電暈處理機薄膜表面也叫物質的第四狀態。施加足夠的能量使氣體電離，就變成了電暈狀態。電暈的“活性”成分包括：離子、電子、活性基團、激發核素（亞穩態）、光子等。電暈就是利用這些活性成分的性質對樣品表面進行處理，從而達到清洗等目的。電暈產生的電暈“活性”成分包括離子、電子、活性基團、激發核素（亞穩態）、光子等。

在影響直接鍵合的因素中，電暈處理機薄膜表面表面處理對鍵合起著關鍵作用，其處理效果將直接影響鍵合能否發生以及鍵合后的界面效果，因為可能吸附在晶圓表面的污染物和晶圓表面的不均勻性最終可能導致鍵合孔的產生，并不同程度地影響晶圓表面的力學和電學特性。目前SiC的表面處理方法主要有傳統的濕法處理、高溫退火處理和電暈處理。其中，傳統的濕法清洗處理主要由硅的濕法處理演變而來，主要有HF法和RCA法。每種治療方法都有自己的特點。

電暈處理失效的影響因素

電暈表面治療儀可引入純鈦表面，結合化學鍵合，相對穩定。用射頻光放電電暈對純鈦表面進行改性，表明鈦表面存在穩定的氨基鍵合。植物表面親水性是影響種植體骨結合和細胞粘附的重要因素，因此保持植物表面親水性至關重要。利用電暈表面處理儀以N2和NH3混合氣體為氣源對純鈦表面進行胺化改性，使純鈦表面具有一定的生物活性。。

射頻電暈表面處理儀器中官能團的相對譜線強度可以反映氣體的離解程度，同時也是金剛石沉積速率和質量的重要因素。作為襯底的尖端，在微波電磁場中電場強度大，其附近的離子劇烈運動，不斷與其他粒子碰撞，增強了電暈密度。高強度的H譜線表明雙襯底結構電暈能產生較高濃度的H自由基，H自由基能刻蝕sp′C和石墨等非金剛石相，從而增強沉積金剛石的質量。

射頻單電極放電能量高、放電范圍廣，已廣泛應用于材料的表面處理和有毒廢物的去除與裂解。DBD電暈清洗在兩個放電電極之間填充工作氣體，其中一個或兩個電極上覆蓋絕緣介質，也可將介質直接懸浮在放電空間中當兩電極之間外加足夠高的交流電壓時，電極間的氣體就會分解產生放電，即產生介質阻擋放電。介質阻擋放電可以在高壓和寬頻率范圍內工作。

在電暈清潔器作用下，CH4和二氧化碳直接轉化生成C2烴類。碳氫化合物的主要產物為C2H2和C2H6。電暈功率的增加有利于C2H2的生成。CH被CO2氧化為C2烴類。甲烷轉化率為31%，CO2轉化率為24%，C2烴的選擇性為64%。。CMOS工藝中電暈損傷WAT方法的研究；硅片透射檢測是在半導體硅片的所有制造工藝完成后，檢測硅片上各種檢測結構的電性能。

電暈處理失效的影響因素

根據不同的使用環境和數據，電暈處理機薄膜表面一般采用不同放電機理的電暈技能。

同時，電暈處理失效的影響因素陽離子的沖擊也增加了污染物分子在物體表面發生活化反應的機會。自由基在清洗金屬表面中的作用；一般來說，在電暈中，自由基比離子多，電中性，壽命更長，能量更高。