從濕法清洗和等離子處理后的 RHEED 圖像中發現，等離子旋轉電極霧化制粉原理濕法處理后的 SiC 表面分散。這表明濕處理后的 SiC 表面不平整，有局部突起。等離子處理的 RHEED 圖像有條紋，并且顯示出非常平坦的表面。傳統濕法處理的 SiC 表面上存在的主要污染物是碳和氧。這些污染物可以在低溫下與 H 原子發生反應，并以 CH 和 H2O 的形式從表面去除。等離子處理后表面的氧含量明顯低于常規濕法清洗。

已發現表面雜質 C 的存在是制造半導體 MOS 器件和歐姆接觸的主要障礙。在等離子體處理后消除Cls的高能尾，等離子旋轉電極霧化制粉即消除CC-H污染，有利于制備高性能歐姆接觸和MOS器件。發現等離子火焰處理后CI的高能尾消失，未經等離子處理的SiC表面的Cls峰與等離子處理后的Cls相比偏移了0.4 ev。這是由 C 的存在引起的。表面/CH 化合物。未經處理的血漿Si-C/Si-O的峰強度比（面積比）為0.87。

在現代包裝技術中，等離子旋轉電極霧化制粉印刷品的表面常采用層壓、涂油和與PP、PVC等混合。采用等離子表面處理機的預處理技術，基本保證了膠盒的高效、高速和可靠性。 1、等離子表面處理機的表面腐蝕材料表面的一些離子鍵，被等離子表面處理機的干擾破壞形成小分子水物質或被氧化成CO、CO等增加。 ，而蒸汽萃取等方法會使材料表面變粗糙。度數會增加。

2、等離子表面處理機表面（活化）不易附著塑料等離子干涉在表面形成特定的分子、氧自由基、不飽和鍵，等離子旋轉電極霧化制粉這些特定基團的特定粒子是新的、特異的，它在等離子反應中組成一個小組。但由于含有特定基團的材料受到氧和分子鏈運動的干擾，表面活性基團消失，等離子處理后材料的表面活性具有一定的時效性。

等離子旋轉電極霧化制粉原理

可見，紫外燈發出的185nm紫外光可作為氧化劑，而紫外燈發出的254nm紫外光可作為光解反應順利進行的必要條件。然而，紫外燈產生臭氧層的能力非常低。例如，最常用的臭氧紫外燈有150WU的形狀。如果氧氣充足，每個小劑量只有6毫克/瓦。臭氧是光解反應中的重要反應物，產生的臭氧量直接影響處理效果。等離子技術利用高壓電場將空氣中的 O2 電離生成 O3，其效率遠高于紫外燈。

電子產品、PC塑膠等邊框、外殼表面等部件的預粘、PCB表面的去粘和去污清洗、鏡頭接頭的前處理、電線電纜編碼的前處理、等離子清洗技術是其應用的關鍵。這主要取決于高溫和高頻。外部條件，例如高能，是電中性、高能、完全或部分電離的氣態材料。等離子體的能量約為幾十電子伏特，其中所含的離子、電子、自由基、紫外線等活性粒子很容易與固體表面的污染物分子發生反應而被分離出來，達到潔凈的目的。 目標。

二級顆粒難以分散在有機載體中。這對漿料的印刷性能和制備的電子元件的性能產生不利影響。六甲基二硅氧烷作為等離子體聚合單體，對玻璃粉體表面進行改性，在粉體表面聚合形成低表面能的聚合物，增加表面的疏水性。當形成的聚合物完全覆蓋粉末表面時，接觸角最大。通過改變包覆在粉體表面的聚合物量，可以改變或控制粉體的表面能，從而提高分散性能。帶有有機載體。 3.改善粉末分散形成聚合物層，可降低粉末的表面能，降低團聚傾向。

當使用法蘭絨、絮狀、PU涂層和硅膠涂層技術時，這種涂層很難附著，過去是手工的分段研磨技術用于改善橡膠條的粗糙度并施加底漆。制粉制造過程耗時耗力，生產能力低，無法支持擠出機的在線加工。 低和許多其他疾病。盡管如此，由于產品標準的不斷提高，磨削技術早已無法滿足汽車制造部和歐洲標準。

等離子旋轉電極霧化制粉原理

粉體一般表面積大，等離子旋轉電極霧化制粉容易聚集形成較大的二次粒子，難以分散在有機載體上。這會影響漿料的印刷性能和制備的電子元件的性能。負面影響。六甲基二硅氧烷作為等離子體聚合單體，對玻璃粉體表面進行改性，在粉體表面聚合形成低表面能的聚合物，增加表面的疏水性。當形成的聚合物完全覆蓋粉末表面時，接觸角增大。通過改變涂覆在粉末表面上的聚合物的量，可以改變或控制粉末的表面能以改善分散。在有機載體上的表現。

基本原理是處于真空低壓狀態射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，等離子旋轉電極霧化制粉原理特定百分比的混合蝕刻氣體耦合到輝光放電，產生高密度等離子體。在下電極處，這些等離子體與基板表面碰撞，破壞了基板圖案區域中半導體材料的化學鍵，與蝕刻氣體產生揮發物，將蝕刻氣體與基板分離。和被拉離真空管道的形式。