等離子體清洗機(jī)和等離子體表面處理器的相變存儲(chǔ)器下電極接觸孔的蝕刻過(guò)程:在相變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中加熱器和貫穿;下電極接觸的大小對(duì)器件性能至關(guān)重要。更小的尺寸意味著更高的電流密度，氮化硅薄膜親水性更高的加熱效率，更小的相變材料面積在較低的電極接觸。以GST為相變材料的葉片形氮化硅電極接觸的結(jié)構(gòu)和過(guò)程，可以形成沿位置線(xiàn)方向尺寸小于20nm的低電極接觸。
等離子處理器復(fù)合氮化工藝提高擴(kuò)散速率的機(jī)理分析 調(diào)質(zhì)后零件表面組織為回火索氏體，氮化硅薄膜是親水性零件表面強(qiáng)度更高，芯部塑性更好。后續(xù)的微加工工藝旨在去除零件表面淬火和回火后的氧化皮，為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。采用滲入前零件表面感應(yīng)淬火提高滲入率，表面淬火后零件表面組織為馬氏體和殘余奧氏體，均為組織缺陷。位錯(cuò)等缺陷，這些缺陷為后續(xù)的冷氮滲透技術(shù)提供能量和結(jié)構(gòu)支撐。
& EMSP; & EMSP; (2)離子氮化& EMSP; & EMSP;離子氮化是業(yè)界應(yīng)用最廣泛的成熟離子熱處理工藝[1-3]。通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)（電壓、電流、爐內(nèi)氣體壓力、溫度、時(shí)間、工作氣體成分等），氮化硅薄膜的親水性很容易得到純擴(kuò)散層、單相、復(fù)合層等。離子滲氮技術(shù)的關(guān)鍵是如何根據(jù)其特性合理選擇工藝參數(shù)，并結(jié)合模具的相關(guān)使用條件，以獲得所需的最佳氮化層。
因此，氮化硅薄膜是親水性對(duì)于聚酰亞胺薄膜芯片，需要控制等離子清洗的次數(shù)，即進(jìn)行一次等離子清洗。氮化硅鈍化膜芯片可以用等離子清洗多次，而不會(huì)出現(xiàn)環(huán)狀皺紋。對(duì)等離子清洗對(duì)芯片電性能影響的研究表明，隨著等離子清洗功率和時(shí)間的增加，78L12芯片的輸出電壓有增加的趨勢(shì)。等離子清洗過(guò)程中芯片輸出電壓的變化是一個(gè)可逆過(guò)程，在退火和上電老化過(guò)程中，輸出電壓逐漸下降恢復(fù)平衡。
氮化硅薄膜的親水性
然而，雖然工件表面的高溫足以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的結(jié)合，但也足以使工件內(nèi)部原有的性能發(fā)生不必要的變化。為了恢復(fù)材料內(nèi)部的性能，還需要進(jìn)行后續(xù)的熱處理。將兩個(gè)電極置于具有適當(dāng)壓力分布的混合氣體中，并在它們之間施加電壓，產(chǎn)生輝光放電，通過(guò)氮等離子體表面處理進(jìn)行等離子體氮化處理。電極或陽(yáng)極接地到真空蓋上。另一個(gè)是陰極。是離子氮化的工件。當(dāng)對(duì)工件進(jìn)行氮化處理時(shí)，工件相對(duì)于地面真空罩是負(fù)的。將二極管電路連接到變壓器電源。
因此，如果發(fā)現(xiàn)等離子體表面墊圈的側(cè)壁蝕刻的主蝕刻步驟的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)被暴露，則立即停止蝕刻并切換過(guò)蝕刻步驟。在主蝕刻步驟中殘留的氮化硅膜通過(guò)過(guò)蝕刻步驟被蝕刻掉，同時(shí)停止在氧化硅膜上，以防止損壞下面的硅襯底。過(guò)蝕刻步驟通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 氣體的組合。 CH3F 氣體分解為 CHX 和 F. + H。等離子體中的撞擊離子會(huì)破壞 SI-O 鍵。
氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，其性能高度依賴(lài)于薄膜的制造條件。等離子化學(xué)氣相沉積（簡(jiǎn)稱(chēng)PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺(tái)階覆蓋率好等優(yōu)點(diǎn)。 PECVD氮化硅薄膜技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和集成電路的開(kāi)發(fā)、芯片固定化膜的制作、多層布線(xiàn)之間的介質(zhì)膜的制造，并已發(fā)展為大規(guī)模和超大規(guī)模集成。
由于是放熱反應(yīng)，CHx很容易與-Si-N鍵結(jié)合，產(chǎn)生·CN+·H，因此等離子表面清洗機(jī)蝕刻反應(yīng)在氮化硅上很活躍。與此相反，在氧化硅膜層上形成很厚的高分子聚合物，阻止了反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行，一般情況下可以通過(guò)工藝優(yōu)化得到高于10的選擇比，表3.8列出了不同碳氟比條件對(duì)介質(zhì)層及硅的刻蝕速率、選擇比及均勻度。側(cè)墻的寬度和高度主要由沉積的膜層的厚度和等離子表面清洗機(jī)過(guò)蝕刻的程度決定。
氮化硅薄膜親水性
它包括化學(xué)熱處理(氮化、碳化、金屬滲透等)。)表層涂層(低壓等離子體涂層、低壓電弧涂層、激光再熔融復(fù)合等薄膜涂層、物理(氣體)相沉積、化學(xué)氣體相沉積等。分析概念設(shè)計(jì)中的量體體積。以及非金屬涂層技術(shù)。本發(fā)明用于強(qiáng)化零件或材料表面層的技術(shù)賦予部件耐高溫、耐腐蝕、耐磨、疲勞、輻射、導(dǎo)電、導(dǎo)磁等新性能。使得本機(jī)在高速度、高溫、高壓、重負(fù)荷及腐蝕介質(zhì)環(huán)境中工作更可靠，氮化硅薄膜是親水性延長(zhǎng)使用年限。。
