科技之后，外延片除膠材料依賴的歷史很快就從硅材料時(shí)代轉(zhuǎn)向了金剛石時(shí)代。然而，此時(shí)金剛石薄膜的等離子體化學(xué)氣相沉積機(jī)理尚不明確，尤其是異質(zhì)外延單晶金剛石薄膜仍然非常困難，多原子分子、復(fù)雜的反應(yīng)體系、基礎(chǔ)資料等方面存在不足。但是，經(jīng)過(guò)20多年的理論和實(shí)驗(yàn)研究，人們不僅開(kāi)發(fā)出了各種等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)來(lái)制作金剛石薄膜，而且經(jīng)過(guò)分析總結(jié)，對(duì)影響金剛石薄膜生長(zhǎng)的因素也有所了解。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

真空鍍膜可分為蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射氣相沉積鍍膜兩大類，外延片除膠設(shè)備包括真空離子揮發(fā)法、磁控濺射法、分子束外延法和粘合劑溶液凝膠法。厚度均勻性的關(guān)鍵是材料和濺射靶材的晶格排列、外表面溫度、蒸發(fā)速率、真空度、鍍膜時(shí)間和厚度。取向?qū)ΨQ性受晶格匹配、溫度和蒸發(fā)速率的影響。濺射涂層很容易理解為電子器件或高能激光濺射靶材。表面部分以原子團(tuán)或離子的形式濺射并沉積在基板的表面上以形成薄膜。

裝置內(nèi)部處于超高真空條件下（10-10torr），外延片除膠蒸發(fā)器配備原料元素（Ga、As、Al等）源。前面是一個(gè)可控?fù)醢澹蜷_(kāi)以將蒸發(fā)的源原子引向加熱的襯底以進(jìn)行外延生長(zhǎng)。目前，單原子層的生長(zhǎng)是通過(guò)這種技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。在設(shè)備周圍，有監(jiān)控生長(zhǎng)過(guò)程的設(shè)備。半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用 1 LSI 和計(jì)算機(jī) LSI道路為計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。根據(jù)摩爾定律，集成電路的集成度每 18 個(gè)月翻一番。

2.使用等離子蝕刻機(jī)對(duì)橡膠進(jìn)行表面處理，外延片除膠機(jī)器并通過(guò)高速接收高能星的沖擊來(lái)進(jìn)行。這種材料結(jié)構(gòu)的表層可以向外延伸，同時(shí)在材料表層形成活性層，因此橡膠可以用于印刷、涂膠、涂膠等操作。等離子蝕刻機(jī)用于橡膠表面處理，操作方便，不產(chǎn)生有害物質(zhì)，清洗效果好，效率高，運(yùn)行成本低。使用等離子刻蝕機(jī)時(shí)，材料表面發(fā)生各種物理化學(xué)變化，被腐蝕，形成高密度交聯(lián)層，產(chǎn)生親水性、粘合性、染色性...它具有生物相容性和電氣特性。

外延片除膠機(jī)器

因此，硅溝槽等離子清洗設(shè)備干法刻蝕后灰化工藝的選擇非常重要。灰化工藝不僅去除了殘留的光刻膠，而且獲得了純硅表面，用于硅鍺的外延生長(zhǎng)。灰化工藝包括氧化灰化、低氫混合氣體（含氫4%的氮?dú)浠旌蠚怏w）灰化、高氫混合氣體（含氫量>20%）灰化。低氫混合氣體灰化工藝可以有效減少光刻膠的殘留和刻蝕副產(chǎn)物，但外延生長(zhǎng)缺陷是因?yàn)楣饪棠z和刻蝕副產(chǎn)物不是外延缺陷的主要原因，因此沒(méi)有明顯改善。

濺射鍍膜可分為幾種類型，與氣相沉積鍍膜的區(qū)別取決于濺射速率，是主要參數(shù)之一。濺射鍍膜薄膜的成分易于保持，但原子對(duì)稱性較弱，晶體取向控制也很常見(jiàn)。影響因素是目標(biāo)板對(duì)準(zhǔn)、低壓涂層氣氛、板溫度、激光功率、脈沖頻率和濺射時(shí)間。不同材料和基板的濺射具有不同的合適參數(shù)。設(shè)備質(zhì)量好壞的關(guān)鍵是對(duì)溫度、真空值、真空室清潔度的控制能力。 MBE分子束外延鍍膜技術(shù)是解決這個(gè)問(wèn)題的一個(gè)很好的方法。

硅鍺溝槽界面對(duì)等離子清洗設(shè)備蝕刻后Sigma溝槽形狀和硅鍺外延生長(zhǎng)的影響：眾所周知，在等離子清潔器中對(duì)硅進(jìn)行干法蝕刻過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的聚合物副產(chǎn)物。設(shè)備。密集區(qū)域的高反應(yīng)總量使副產(chǎn)物更容易聚集。在圖案化硅實(shí)驗(yàn)中，緊密圖案化區(qū)域中的厚蝕刻副產(chǎn)物導(dǎo)致比稀疏圖案化區(qū)域更淺的深度。這種深度差異在 TMAH 掩埋工藝之后變得更加明顯，甚至可能阻止正常形狀的 sigma 型硅溝槽的形成。

隨著半導(dǎo)體規(guī)模接近其物理極限，新材料、新器件結(jié)構(gòu)和新工藝不斷被引入集成電路制造工藝中，以延續(xù)摩爾定律并使器件尺寸更小......隨著高介電常數(shù)材料、鍺硅載流子傳輸增強(qiáng)材料、金屬柵極材料、SiCoNiTM預(yù)清洗工藝、分子束外延生長(zhǎng)工藝等，等離子清洗機(jī)中氣體材料的種類和數(shù)量不斷變化。并增加。一般來(lái)說(shuō)，等離子清洗機(jī)的氣體材料根據(jù)數(shù)量、制造過(guò)程的難易程度和安全性，分為通用氣體和特殊氣體兩種。

外延片除膠

加入氧氣后，外延片除膠機(jī)器鍺及其合金的選擇性最高可調(diào)節(jié)至434。這一點(diǎn)很重要，因?yàn)殒N多層結(jié)構(gòu)一般是外延產(chǎn)生的，而期間的感應(yīng)層和中間層結(jié)構(gòu)一般都是鍺合金材料。我們知道CF4也是一種高反應(yīng)性的化學(xué)蝕刻氣體。由于這種效應(yīng)，當(dāng)向 CF4 添加氧時(shí)，蝕刻選擇性很高。這是因?yàn)檠跖c底層材料 (Sn) 反應(yīng)以促進(jìn)表面保護(hù)膜的形成，從而防止進(jìn)一步蝕刻并提高選擇性。