氮硅Ni3N4材料的特性：Ni3N4是目前比較熱門的新材料之一，它具有密度小，硬度大，彈性模量高，熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，被應(yīng)用于多種材料中。氮化硅可替代氧化硅用于晶圓制造，由于它的硬度高，可以在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中，使用廣泛的薄膜厚度單位是埃)，厚度約為幾十埃，可以保護(hù)晶圓表面，防止劃傷，而且它出色的絕緣強(qiáng)度和抗氧化能力也可以很好地達(dá)到阻隔效果。由于氮化硅的流動(dòng)性不如氧化物，刻蝕比較困難，利用等離子體表面處理器進(jìn)行刻蝕可克服刻蝕困難。
等離子體蝕刻是通過化學(xué)或物理作用，或物理和化學(xué)的聯(lián)合作用來實(shí)現(xiàn)的。在反應(yīng)過程中，通過反應(yīng)室內(nèi)的氣體通過輝光放電，從而形成含有離子、電子和游離基等活性物質(zhì)的等離子體，這些物質(zhì)由于其擴(kuò)散特性，將吸附到介質(zhì)表面，與介質(zhì)表面原子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成揮發(fā)物。同時(shí)，能量較高的離子會(huì)在一定壓力下對(duì)介質(zhì)表面進(jìn)行物理轟擊和蝕刻，以去除再沉積反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。通過等離子體表面處理器物理化學(xué)的聯(lián)合作用，完成對(duì)介質(zhì)層的蝕刻。
在晶圓制造工藝中，等離子體刻蝕是十分重要的一步，也是微電子IC制造工藝和微納制造工藝中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，一般在涂覆和光刻顯影后，等離子體表面處理器等離子體經(jīng)過物理濺射和化學(xué)處理，使我們不需要的金屬被去除，而在這個(gè)過程中，光刻膠就是反應(yīng)的保護(hù)膜，其目的是形成與光刻膠圖形相同的線形。目前主流的干式刻蝕技術(shù)是等離子體表面處理器的刻蝕工藝，由于其刻蝕率高、定向性好，逐漸取代了傳統(tǒng)的濕式刻蝕。24423