在真空等離子脫膠機的反應室中，感光膠附著力不夠受高頻和微波能量的影響而電離，產生氧離子、游離氧原子O*、氧分子、電子的混合等離子體。在O2→O*+O*、CXHY+O*→CO2↑+H2O↑的高頻電壓作用下，與具有強氧化能力（約10～20%）的感光膠片發生反應。接下來，排放反應后產生的CO2和H2O。 2）硅片等離子脫膠/脫膠案例將硅片置于真空反應系統中，通入少量氧氣，施加1500V的高壓，高頻信號發生器產生高頻信號。

白天和藍天的顏色不同，感光膠附著力光線的成分也不同，但白天和藍天都含有高度感光的藍光和綠光，唯一的區別是紅色和橙色，所以對比很高。很小，自然效果不好。例如，如果在拍照時給相機鏡頭添加橙黃色濾鏡，效果將是橙黃色非常好，因為它是一種類似于藍天的補色。大部分來自天空的藍光被濾光片吸收，但來自白云的白光中的黃光可以通過。它增強了光線的對比度，具有自然的效果。

抗蝕劑的涂布-雙面 FPC 制造工藝現在,抗蝕劑的涂布方法根據電路圖形的精密度和產量分為以下三種方法:絲網漏印法、干膜/感光法、液態抗蝕劑感光法。現在,抗蝕劑的涂布方法根據電路圖形的精密度和產量分為以下三種方法：絲網漏印法、干膜/感光法、液態抗蝕劑感光法。抗蝕油墨采用絲網漏印法直接把線路圖形漏印在銅箔表面上,這是常用的技術,適用于大批量生產,成本低廉。

晶圓光刻是整個鑄造工藝中的重要工序。這種方法的原理是在晶圓表面覆蓋一層高感光度的擋光層，感光膠附著力不夠然后通過掩模將光線照射到晶圓表面，光線照射到的擋光劑會發生反應，從而實現電路的移動。晶圓蝕刻：用光刻膠曝光晶圓表面的過程。主要分為濕法蝕刻和干法蝕刻兩種。簡而言之，濕法蝕刻僅限于2微米的圖案尺寸，而干法蝕刻則用于更精細、要求更高的電路。晶圓級封裝等離子體處理是一種干洗方法，具有一致性好、可控性好的特點。

感光膠附著力不強

因此,基材將要承受高能量離子沖擊帶來的損害,特別是半導體。實驗已證明,在對晶片生產感光性樹脂帶處理過程中,使用微波等離子沒有對腔體及腔門造成氧化損害。下面介紹微波等離子清洗技術的兩個常見應用場合微波等離子清洗技術在IC封裝中的應用微波等離子清洗在IC封裝中通常在下面的幾個環節引入:在芯片粘合與引線鍵合前,以及在芯片封裝前。

FPC軟板工藝中曝光就是通過干膜的作用使線路圖形轉移到板子上面，通常采用感光法進行，曝光完成后，FPC軟板的線路就基本成型了，干膜能使影像轉移，還能在蝕刻過程中保護線路。PI蝕刻是指在一定的溫度條件下，蝕刻藥液經過噴頭均勻噴灑到銅箔的表面，與銅發生氧化還原反應，再經過脫膜處理后形成線路。開孔的目的是為了形成原件導體線路和形成層間的互連線路，開孔工藝常用于雙層FPC上下兩層的導通連接。

目前，抗蝕劑涂布方法可分為絲網印刷、干膜/感光、液體抗蝕劑感光三種方法，這取決于電路圖案的精度和輸出。抗蝕油墨采用絲網印刷，將電路圖案直接印刷在銅箔表面。這是一種常用的技術，適合大批量生產，成本低。形成的電路圖形精度可以達到0.2-0.3毫米線寬/間距，但不適用于更精確的圖形。隨著它變小，這種方法逐漸變得不那么適用。與下面的干墻法相比，它需要有一定技能的操作人員，而且操作人員需要多年的培訓，這是一個劣勢。

然后再用強堿，比如NaOH將不需要的銅箔蝕刻掉。將固化的感光膜撕掉，露出需要的PCB布局線路銅箔。4、芯板打孔與檢查芯板已經制作成功。然后在芯板上打對位孔，方便接下來和其它原料對齊。芯板一旦和其它層的PCB壓制在一起就無法進行修改了，所以檢查非常重要。會由機器自動和PCB布局圖紙進行比對，查看錯誤。

感光膠附著力不強

等離子設備主要用于去除晶圓表面的顆粒，感光膠附著力不夠徹底去除光刻膠等有機化合物，活化和粗糙化晶圓表面，提高晶圓表面的潤濕性。它現在廣泛用于晶圓加工。 ..光刻晶圓工藝是貫穿晶圓代工工藝的重要工藝。該方法的原理是在晶片表面覆蓋一層具有高感光度的遮光層，然后通過掩模對晶片表面進行光照，遮光劑為輻照。光反應并實現電路的運動。晶圓蝕刻：用光刻膠暴露晶圓表面區域的工藝。主要有兩種，濕法刻蝕和干法刻蝕。