等離子體清洗機和等離子體表面處理器的相變存儲器下電極接觸孔的蝕刻過程:在相變存儲器的存儲單元中加熱器和貫穿;下電極接觸的大小對器件性能至關重要。更小的尺寸意味著更高的電流密度，氮化硅薄膜親水性更高的加熱效率，更小的相變材料面積在較低的電極接觸。以GST為相變材料的葉片形氮化硅電極接觸的結構和過程，可以形成沿位置線方向尺寸小于20nm的低電極接觸。

等離子處理器復合氮化工藝提高擴散速率的機理分析 調質后零件表面組織為回火索氏體，氮化硅薄膜是親水性零件表面強度更高，芯部塑性更好。后續的微加工工藝旨在去除零件表面淬火和回火后的氧化皮，為后續工藝做準備。采用滲入前零件表面感應淬火提高滲入率，表面淬火后零件表面組織為馬氏體和殘余奧氏體，均為組織缺陷。位錯等缺陷，這些缺陷為后續的冷氮滲透技術提供能量和結構支撐。

& EMSP; & EMSP; (2)離子氮化& EMSP; & EMSP;離子氮化是業界應用最廣泛的成熟離子熱處理工藝[1-3]。通過調整工藝參數（電壓、電流、爐內氣體壓力、溫度、時間、工作氣體成分等），氮化硅薄膜的親水性很容易得到純擴散層、單相、復合層等。離子滲氮技術的關鍵是如何根據其特性合理選擇工藝參數，并結合模具的相關使用條件，以獲得所需的最佳氮化層。

因此，氮化硅薄膜是親水性對于聚酰亞胺薄膜芯片，需要控制等離子清洗的次數，即進行一次等離子清洗。氮化硅鈍化膜芯片可以用等離子清洗多次，而不會出現環狀皺紋。對等離子清洗對芯片電性能影響的研究表明，隨著等離子清洗功率和時間的增加，78L12芯片的輸出電壓有增加的趨勢。等離子清洗過程中芯片輸出電壓的變化是一個可逆過程，在退火和上電老化過程中，輸出電壓逐漸下降恢復平衡。

氮化硅薄膜的親水性

然而，雖然工件表面的高溫足以促進化學反應的結合，但也足以使工件內部原有的性能發生不必要的變化。為了恢復材料內部的性能，還需要進行后續的熱處理。將兩個電極置于具有適當壓力分布的混合氣體中，并在它們之間施加電壓，產生輝光放電，通過氮等離子體表面處理進行等離子體氮化處理。電極或陽極接地到真空蓋上。另一個是陰極。是離子氮化的工件。當對工件進行氮化處理時，工件相對于地面真空罩是負的。將二極管電路連接到變壓器電源。

因此，如果發現等離子體表面墊圈的側壁蝕刻的主蝕刻步驟的終點監測被暴露，則立即停止蝕刻并切換過蝕刻步驟。在主蝕刻步驟中殘留的氮化硅膜通過過蝕刻步驟被蝕刻掉，同時停止在氧化硅膜上，以防止損壞下面的硅襯底。過蝕刻步驟通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 氣體的組合。 CH3F 氣體分解為 CHX 和 F. + H。等離子體中的撞擊離子會破壞 SI-O 鍵。

氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，其性能高度依賴于薄膜的制造條件。等離子化學氣相沉積（簡稱PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺階覆蓋率好等優點。 PECVD氮化硅薄膜技術廣泛應用于半導體器件和集成電路的開發、芯片固定化膜的制作、多層布線之間的介質膜的制造，并已發展為大規模和超大規模集成。

由于是放熱反應，CHx很容易與-Si-N鍵結合，產生·CN+·H，因此等離子表面清洗機蝕刻反應在氮化硅上很活躍。與此相反，在氧化硅膜層上形成很厚的高分子聚合物，阻止了反應的進一步進行，一般情況下可以通過工藝優化得到高于10的選擇比，表3.8列出了不同碳氟比條件對介質層及硅的刻蝕速率、選擇比及均勻度。側墻的寬度和高度主要由沉積的膜層的厚度和等離子表面清洗機過蝕刻的程度決定。

氮化硅薄膜親水性

它包括化學熱處理(氮化、碳化、金屬滲透等)。)表層涂層(低壓等離子體涂層、低壓電弧涂層、激光再熔融復合等薄膜涂層、物理(氣體)相沉積、化學氣體相沉積等。分析概念設計中的量體體積。以及非金屬涂層技術。本發明用于強化零件或材料表面層的技術賦予部件耐高溫、耐腐蝕、耐磨、疲勞、輻射、導電、導磁等新性能。使得本機在高速度、高溫、高壓、重負荷及腐蝕介質環境中工作更可靠，氮化硅薄膜是親水性延長使用年限。。