反應產物主要為C2H2和C2H6。等離子體功率的增加有利于C2H2的形成。甲烷轉化率為31%，二氧化硅等離子體除膠設備二氧化碳轉化率為24%，C2選擇性為64%。。CMOS工藝中等離子體損傷的WAT方法研究:硅片傳輸檢測是在完成半導體硅片的所有制造工藝后，對硅片上各種檢測結構的電學性能進行檢測。它是反映產品質量的一種手段，是產品入庫前的最后一次質量檢驗。隨著半導體技術的發展和壯大，等離子體工藝在集成電路制造中得到了廣泛的應用。

典型的等離子體物理清洗工藝是氬等離子體清洗。氬本身是惰性氣體，二氧化硅等離子體清潔不與表面發生反應，而是通過離子轟擊來清除表面。典型的等離子體化學清洗工藝是氧等離子體清洗。等離子體產生的氧自由基反應性很強，很容易與碳氫化合物反應，產生二氧化碳、一氧化碳和水等揮發性物質，2.2激發頻率分類等離子體密度與激發頻率的關系如下:Nc = 1.2425 × 108 v2其中Nc為等離子體密度(CM-3)， V為激發頻率(Hz)。

等離子體清洗設備:等離子體原理和超聲波清洗原理,當接近真空的模塊,射頻功率,打開氣體電離,等離子體,并伴隨著輝光放電,等離子體加速電場下,因此高速運動的電場作用下,表面的物理碰撞,等離子體的能量足以去除各種污染物，二氧化硅等離子體除膠設備同時氧離子可以將有機污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。

等離子體在電場作用下加速，二氧化硅等離子體清潔從而在電場作用下高速運動，導致物體表面發生物理碰撞。等離子體的能量足以去除各種污染物，而氧離子則能將有機污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。等離子清洗不需要其他原料，只要空氣能滿足要求，使用方便且無污染，同時等離子清洗的優點比超聲波更多，等離子不僅可以進行表面清洗，更重要的是可以提高表面活性。

二氧化硅等離子體清潔

在等離子體蝕刻中，基于等離子體作用的物理蝕刻和基于活性的蝕刻同時進行群作用化學蝕刻。等離子體蝕刻工藝，開始于相對簡單的平板二極管技術，已經發展到使用價值數百萬美元的模塊化室，配備了多頻發生器、靜電吸盤、外墻溫度控制器和各種專門為特定薄膜設計的流量控制傳感器。可以蝕刻的電解質是二氧化硅和氮化硅。這兩種介質的化學鍵能很高，一般需要使用氟碳氣體(如CF4、C4F8等)產生的高活性氟等離子體對其進行刻蝕。

等離子體表面處理(詳情請點擊)在形成等離子體放電時，包括電子、正離子、亞穩態分子和原子等，當等離子體表面被清洗并相互接觸時，一方面，利用等離子體表面處理或等離子體活化使化學活性物質與材料表面的污垢發生化學反應，例如，等離子體表面處理中的活性氧和材料表面的有機物被氧化。氧等離子體作用于物質表面的有機物，將有機物分解成二氧化碳。氫等離子體與表面氧化物相互作用，還原氧化物，生成水等。

等離子體清洗技術作為近年來發展起來的一種清潔技術，為解決這些問題提供了一種經濟、有效、無污染的解決方案。對于這些不同的污染物，根據基材和芯片材料，不同的清洗工藝可以得到理想的效果，但錯誤的工藝可能導致產品報廢，例如，采用氧等離子工藝的銀材料芯片會被氧化黑甚至報廢。因此，在LED封裝中選擇合適的等離子清洗工藝是非常重要的，了解等離子清洗的原理是非常重要的。

三、多層涂裝過程之間的清洗:多層涂裝過程中有污染，可以調節清潔能源齒輪對涂裝過程中涂裝部分的污染進行清洗，這樣下一次涂裝效果更好。其他如等離子蝕刻，活化和涂層。由于等離子體清洗處理的功能和用途如此之多，因此，光學、光電子、光通信、電子學、微電子、半導體、激光、芯片、珠寶、顯示器、航空航天、生命科學、醫學、牙科、生物學、物理學、化學等方面的科學研究和生產都有其應用。。

二氧化硅等離子體清潔

它的能量范圍高于氣態、液態和固態物質，二氧化硅等離子體清潔存在著具有一定能量彌散的電子、離子和中性粒子。當它們與數據表面發生碰撞時，會將能量傳遞給數據表面的分子和原子，從而產生一系列的物理和化學過程。影響物體的表面可以完成對象的超凈的清潔,表面活化、蝕刻、加工和等離子體表面涂層。

主要的等離子體表面處理技術包括各種蝕刻、灰化和除塵工藝。其他等離子體工藝包括去污、表面粗糙度、增加潤濕性、增強鍵合和鍵合強度、光刻膠/聚合物剝離、介質腐蝕、晶圓凸起、有機污染物去除和晶圓剝離。晶圓清洗-等離子設備在晶圓敲打前去除污染物、有機污染物、氟等鹵素污染物以及金屬和金屬氧化物。等離子體還提高了薄膜的附著力和清潔金屬焊盤。