蝕刻氣體，CCP等離子刻蝕機主要是 O2，通常用于實現足夠高的還原率。在循環蝕刻過程中，SiO2 和 Si3N4 被同時蝕刻并停止在下面的 SiO2 表面。需要一般分為SiO2蝕刻（相對低選擇性）步驟和Si3N4蝕刻。這需要對 SiO2 有更高的選擇性才能在下面的 SiO2 表面停止。通常，SiO2使用碳氟比相對較低的蝕刻氣體如CF4/CHF3蝕刻，而Si3N4蝕刻使用碳氟比高的蝕刻氣體如CH2F2。

表面活化將表面自由基與原子或化學官能團重新結合，CCP等離子體表面處理機器形成與材料表面官能團不同的基團，從而獲得不同性質的表面，實現表面改性。等離子體誘導的材料表面功能化可以為表面改性和后續加工程序提供基礎。獲取具有各種特殊屬性的材料表面，例如嫁接、粘合和其他生物應用。目前常用的低溫等離子體對塑料表面改性的方法主要有極性基團引入、等離子體誘導表面聚合、接枝反應等，如塑料粘附性、塑料生物相容性、塑料表面導電率等。

(1)化學反應化學反應中常用的氣體有氫氣(H2)、氧氣(O2)、甲烷(CF4)。這些氣體在等離子體中反應形成高反應性自由基。公式為：它進一步與這些自由基材料的表面反應。反應機理主要是利用等離子體中的自由基與材料表面發生化學反應，CCP等離子體表面處理機器壓力高時有利于自由基的產生，壓力開始反應。

等離子體中的粒子能量一般在幾到10電子伏左右，CCP等離子刻蝕機大于高分子材料的結合能（數到10電子伏），可以完全破壞有機物。大分子中的化學鍵形成新的鍵，但遠低于高能放射線，只包含材料表面，不影響基體的性能。等離子表面處理設備技術在塑料和橡膠（陶瓷、玻璃）行業的應用：聚丙烯、聚四氟乙烯等橡膠和塑料材料是非極性的，這些材料的印刷、粘合、印刷無需等離子表面處理設備、涂層等作用，非常差，甚至不可能。

CCP等離子體表面處理機器

CF4流量和O2流量對清洗效果影響很大。將兩個比值調大（0.4左右），增加單位時間的總流量（最大350 cm3/min），清洗效果會提高。等離子表面處理設備需要嚴格控制處理時間，并能以適當的清洗時間滿足生產要求。連續清洗的時間越長，孔壁超過孔直徑設計值的時間越長，成本增加。同時。使用等離子表面處理設備清潔后，可以（活化）對產品表面進行改性，以提高剛撓結合板的性能。

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