通常,led支架plasma蝕刻使用 5% H2 + 95% Ar 的混合氣體通過等離子體清潔顆粒污染物和氧化物。鍍金芯片可以使用氧等離子體去除有機物,但銀芯片不能。適當的等離子清洗工藝在LED封裝中的應用,大致可以分為以下幾個方面: 1)點膠前:基板上的污染物使銀膠呈球形,不會促進芯片的粘附。如果針頭容易手工操作的刺損壞,可以使用等離子清洗。
可以降低鍵合工具頭的壓力(如果有污染,led支架plasma蝕刻鍵合頭需要穿透污染,需要更高的壓力),在某些情況下也可以降低和提高鍵合溫度。產量和成本降低。 3)LED封膠前:在LED環氧樹脂注膠過程中,污染物導致氣泡起泡率高,降低了產品的質量和使用壽命。因此,避免形成空氣也是一個問題。在密封過程中會產生氣泡。問題。等離子清洗后,芯片和基板與膠體結合更緊密,顯著減少氣泡的形成,顯著提高散熱和光輸出。
從以上幾點可以看出,led支架plasma蝕刻設備材料的表面活化、氧化物和顆粒污染物的去除可以直接通過材料表面鍵合線的抗拉強度和穿透性能來體現。一些LED廠的產品封裝工藝在上述工藝前增加了等離子清洗,以測量鍵合線的抗拉強度,與沒有等離子清洗相比。大小也發生了變化,一些只增加了 12%,而另一些則增加了。根據部分廠家測得的數據,平均拉力沒有明顯增加,但最小粘合拉力明顯增加。這是為了保證產品的可靠性。這仍然非常有用。
圖3是LED廠商氧化后的LED批次等離子清洗前后對比圖,led支架plasma蝕刻設備圖4是LED廠商等離子清洗前后LED批次的鍵合線拉力對比圖。等離子清洗后,另一個檢測芯片和基板清洗效果的指標是表面。部分產品的潤濕性能表明,未經等離子體清洗的樣品的接觸角約為40°至68°;經過化學反應機理等離子體清洗的樣品的接觸角約為10°至17°。通過物理反應機制用等離子體清洗的樣品約為 20° 至 28°。清潔效果因制造商、產品和清潔工藝而異。
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改善的潤濕性表明在上述封裝工藝之前進行等離子清洗是非常有益的。圖 5 比較了特定 LED 工件表面與等離子清洗前后滴在特定 LED 工件表面上并由接觸角檢測器檢測的 7 微升純水之間的接觸角。 5 結語 近年來,半導體光電子技術的進步使LED的發光效率迅速提高,預示著一個新的光源時代已經到來。
就發光二極管的技術潛力和發展趨勢而言,發光效率達到400lm/w以上,遠超目前發光效率最高的高強度氣體放電燈,成為最亮的光源。世界。因此,業內人士認為,半導體照明將徹底改變照明行業的第四次。等離子清洗工藝的應用,有助于保護環境,在LED封裝工藝中具有優異的清洗均勻性、優異的重現性、可控性強、3D處理能力、方向選擇處理等,是保證快速發展的行業。。
等離子表面處理失敗有多嚴重?在等離子處理時間的情況下,等離子處理后的聚合物表面的交聯、化學改性和蝕刻主要是由于等離子使聚合物表面分子的鍵斷裂形成大量的。的自由基。實驗表明,隨著等離子體處理時間的增加和放電功率的增加,產生的自由基的強度增加,達到最大點,然后進入動態平衡。冷等離子體反應最深。在某些條件下在聚合物表面上。等離子表面處理后,可能是由于材料本身的特性、處理后的二次污染或化學反應。
其中,紫外線不僅被材料強烈吸收,而且有可能在表面產生自由基,形成的活性位點與等離子體中的氣體成分發生相互作用。化學反應導致一系列表面改性。中性粒子由于自身的自由基解離作用,會在材料表面引起各種化學反應(脫氫、氧化、加成)。當離子流與表面碰撞時,會發生表面的蝕刻和加熱,并發生類似于中性流的反應。這三個作用相結合,形成了材料表面低溫等離子體改性的原理。等離子表面處理的這篇文章來自北京。請告訴我轉載的出處。
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效果是完成物體的超凈清洗、物體表面的活化、蝕刻、精加工、物體表面的等離子表面涂層。 (1) 對材料表面的蝕刻作用物理作用等離子體中的大量離子、激發分子、自由基等活性粒子對固體樣品表面產生影響,led支架plasma蝕刻設備消除了表面原有的污染物和雜質。 ..它產生蝕刻效果,使樣品表面變粗糙,形成許多細小凹坑,并增加樣品的比表面積。提高固體表面的潤濕性。
并且,led支架plasma蝕刻設備形狀、寬度、高度、材質、工藝類型,以及是否需要對材料進行在線處理,直接影響并決定了整個等離子表面處理設備的解決方案。 PET噴塑前等離子等離子表面處理裝置又稱等離子、等離子噴涂裝置、等離子表面破碎機, 等離子平面磨床等PET塑料預噴等離子表面處理設備可對多種材料的表面進行清洗、再生、涂層等徹底清洗或改性,而不損傷物體表面。