建立了羥基、羧基等自由基基團，電暈處理效果的影響因素可促進各種涂料材料的附著力，并在附著力和涂料應用中得到優化。在相同的效果下，利用電暈處理可以獲得很薄的高張力涂層表面。

反應電暈是指電暈中的活性粒子能與難粘材料表面發生反應，電暈處理效果的影響因素從而引入大量極性基團，使材料表面由非極性轉變為極性，提高表面張力和粘附性。此外，在電暈高速沖擊下，難粘材料分子鏈斷裂、交聯，增加了表面分子的相對分子質量，改善了弱邊界層，對提高表面粘附性能起到積極作用。

經氬電暈處理后，電暈處理效果的影響因素表面張力將明顯提高。活性氣體研究所產生的電暈也能增加表面粗糙度，但氬離子電離后產生的顆粒相對較重，氬離子在電場作用下的動能會顯著高于活性氣體，因此其粗化效果會更加明顯，廣泛應用于無機基底的表面粗化過程。如玻璃基板表面處理、金屬基板表面處理等。③主動氣體輔助在電暈的活化清洗過程中，常采用工藝氣體混合以達到較好的效果。

在線電暈清洗工藝的應用-電暈設備/電暈清洗/電暈處理隨著工業和消費電子商場的發展，電暈處理對表面張力電子設備變得更加輕薄和緊湊。這種商場需求促進了微電子封裝的小型化，也對封裝的可靠性提出了相應的要求。高質量的封裝技術可以提高電子產品的壽命。在封裝過程中，芯片鍵合間隙、引線鍵合強度低、焊球分層或脫落等成為制約封裝可靠性的重要因素。必須在不破壞材料的外部和電氣特性的情況下有效地去除各種污染物。

電暈處理效果的影響因素

這種共振會導致一個。面積范圍周圍的面積范圍顯著提高，共振頻率與電子密度和電子有效質量有關。粒徑、形狀等因素。電子的這種集體振蕩稱為偶極電暈共振。局部電暈在一定頻率范圍內對金屬（納米）粒子光學性質的影響是主要的。光場作用于金屬（納米）粒子產生電暈振蕩、局域強度和表面強度。

在電暈晶圓清洗機常壓流動電暈反應器中，影響電暈能量密度的主要因素是進料氣體流量F和電暈注入功率P，進料氣體流量是影響反應體系中活性顆粒密度和碰撞幾率的主要因素之一。電暈晶圓清洗機的電暈注入功率是在電暈中產生各種活性粒子（高能電子、活性氧、甲基自由基等）的能量來源，兩者的動態協同作用可以用能量密度Ed（kJ/mol）來描述。

血漿&ldquo；具體&rdquo；成分包括：正離子、電子器件、特定基團、受激核素（亞穩態）、光量子等。

1962年，美國霍爾制造了p-n同質結的DI半導體激光器。產生激光必須滿足三個條件：粒子數反轉分布、諧振腔和電流超過一定閾值。1963年，美國的Kremer和蘇聯的Alferov分別獨立制作了異質結激光器，即圖8中，在結區使用了一種帶隙較小的材料，如GaAs；另一種寬禁帶材料，如AlxGa1-xAs用于兩側的p區和n區。這樣，發光區域被限制在窄結區中。從而大大提高了發光效率，降低了激光器的閾值電流。

電暈處理對表面張力

電暈處理可以應用于各種基板，電暈處理效果的影響因素即使是復雜的幾何構型，也可以通過電暈活化、電暈清洗、電暈涂層而沒有問題。電暈處理的熱和機械負荷較低，因此低壓電暈也可以處理敏感材料。

電暈清洗具有良好的均勻性、重復性、可控性、節能環保等優點，電暈處理對表面張力具有廣泛的應用范圍。在電暈清洗過程中，氧氣變成含有氧原子自由基、激發態氧分子、電子等粒子的電暈。這類電暈與固體表面的反應可分為物理反應（離子轟擊）和化學反應，物理反應機理是活性粒子轟擊待清洗表面，使污染物從表面分離出來，并被真空泵吸走。化學反應機理是O活性顆粒將有機物質氧化成水和二氧化碳分子，從表面清洗（去除），并被真空泵吸走。