半導體芯片晶圓被暴露在含氧及水的前提條件下表層會構成自然的空氣氧化層。這層空氣氧化塑料薄膜不僅會阻礙半導體的很多工藝程序，還涵蓋了某些金屬材料殘渣，在相應前提條件下，兩者會遷移到晶圓中構成電力學瑕疵。這層空氣氧化塑料薄膜的清除常運用稀氫氟酸浸泡達成。
plasma在半導體芯片晶圓清潔工藝技術上的運用，等離子技術清潔具備工藝技術簡易、實際操作便捷、沒有廢料處理和空氣污染等難題。但plasma無法清除碳和其他非揮發物金屬材料或金屬氧化物殘渣。
plasma經常使用于導電銀膠的清除工藝技術中，在等離子技術反映體系中通入少許的氧，在強電場的作用下，使氧形成等離子技術，快速使導電銀膠空氣氧化變成可揮發物的氣體形態物質被吸走。24290