通過在真空室中用氧氣（O2）進行清洗，增加鍍層附著力可以有效去除光刻膠等有機污染物。氧氣 (O2) 引入更常用于精密芯片鍵合、光源清潔和其他工藝。一些氧化物很難去除，但在非常密閉的真空中使用時可以用氫氣 (H2) 清潔它們。還有四氟化碳（CF4）和六氟化硫（SF6）等特殊氣體，可以增加蝕刻和去除有機物的效果。但是，使用這些氣體的前提是要有完全耐腐蝕的氣路和空腔結(jié)構(gòu)。此外，您必須佩戴防護罩和手套才能工作。

氧化物和有機污染物等污染物的存在會顯著降低引線鍵合拉力值。等離子清洗可以有效去除粘接區(qū)域的表面污染物，如何增加鍍層附著力增加粗糙度。這大大提高了引線的鍵合張力，大大提高了封裝器件的可靠性。經(jīng)過等離子清洗和鍵合后，鍵合強度和鍵合線張力的均勻性大大提高，對提高鍵合線的鍵合強度有很大的作用。等離子可用于在引線鍵合之前清潔芯片結(jié)，以提高鍵合強度和良率。

氣動調(diào)節(jié)閥：調(diào)壓閥是氣動控制的重要元件，增加鍍層附著力其作用是將外部壓縮氣體控制在所要求的工作壓力下，保持壓力和流量的穩(wěn)定性。不管是真空plasma等離子去膠機還是大氣plasma等離子去膠機，在進氣時都會安裝氣動調(diào)壓閥，為了保證氣體的潔凈度，在使用時可以加裝氣體過濾組件。為便于查看氣體壓力，可將壓力表安裝在調(diào)壓閥上或選擇帶壓力表的調(diào)壓閥。如果需要提供欠壓報警，還可以選擇壓力表帶有報警輸出功能，或者增加一個壓力開關(guān)。

微波等離子清洗機主要應(yīng)用于敏感器件(半導(dǎo)體芯片，增加鍍層附著力特別是微波器件)，這時主要是離子化學(xué)反應(yīng)。而13.56MHz射頻等離子清洗機的應(yīng)用則介于上述兩者之間，兼具化學(xué)和物理清洗。

增加鍍層附著力

這表明射頻等離子在引線框架基部的清洗活性優(yōu)于直流等離子清洗。與射頻清洗一樣，微波等離子清洗也需要物理方法。在化學(xué)反應(yīng)過程中，引線框架表面的有機物與金發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。氧化層的去除更徹底。錯誤的等離子清洗前后水滴角度的比較。使用俄歇電子能譜 (AES) 比較清潔前后晶片墊的元素含量。清洗效果也可以通過清洗液的表面元素含量來確認(rèn)。放置晶圓后，清潔器在上膠前使用各種清潔劑。。

真空等離子清洗機它由13.56MHz射頻電源發(fā)生器、電子控制系統(tǒng)、自動匹配系統(tǒng)和等離子體放電腔體四部分構(gòu)成。外接真空泵系統(tǒng)可通入不同氣體，例如氬氣、氧氣、及氟化氣體等。放電腔體的兩側(cè)壁有數(shù)個可調(diào)節(jié)極板間距的支架可用于放置極板。電極板是一組平行的、極性交替的、板上均勻布置了若干通孔的金屬板，一般真空腔體中設(shè)計有多組平行電極板，電極板的數(shù)量和大小取決于真空腔體的尺寸大小。其結(jié)構(gòu)簡圖如圖1.1所示。

采用常壓等離子體清洗機，在生產(chǎn)過程中可以很容易地去除這些分子污染，從而顯著提高IC封裝的可制造性、可靠性和成品率。在片式集成電路封裝生產(chǎn)中，等離子體清洗工藝的選擇取決于后續(xù)工藝對材料表面、原始性能、化學(xué)成分和性能的要求。在芯片和MEMS IC封裝中，襯底、基座和芯片之間存在大量的引線連接。引線鍵合仍然是芯片焊盤與外部引線連接的重要手段。如何提高引線鍵合強度一直是業(yè)界研究的難題。

我需要知道當(dāng)前的氣體量，那么如何計算呢？如果瓶裝氣的氣壓顯示為15.00MPA，瓶裝氣的容量為40L，可以計算出瓶裝氣釋放到大氣壓的量，得到15*10*40=6000L。 2、計算真空等離子清洗機的含氣量：知道了瓶內(nèi)當(dāng)前的含氣量后，需要知道每天的用氣量。等離子處理器設(shè)定的空氣量假定為 50 SCCM。即 50 毫升/分鐘。然后是每小時 3000 毫升或 3 升。

如何增加鍍層附著力

表2給出了等離子體清洗工藝選擇和應(yīng)用的一些實例。在芯片、MEMS封裝、基板、基片與芯片之間存在大量的引線連接，射頻能增加鍍層附著力嗎引線連接仍然是實現(xiàn)芯片襯墊與外部引線連接的重要途徑，如何提高引線連接強度一直是業(yè)界研究的課題這個問題。