在前沿研究領域，微波等離子寬帶隙半導體仍處于實驗室開發階段。注：阿爾法等離子微波等離子清洗/脫膠設備用于相應寬禁帶半導體的研發制造單位，為相關工藝提供技術支持。
目前常用的等離子體激發頻率有3種：激發頻率為40kHz的等離子體為超聲波等離子體，微波等離子激發頻率為13.56MHz的等離子體為高頻等離子體，2.45GHz的等離子體為微波等離子體。非均勻等離子體的自偏壓不同。超聲波等離子的自偏壓在1000V左右，高頻等離子的自偏壓在250V左右，微波等離子的自偏壓很低，只有幾十V。博爾特和三種等離子機制是不同的。
利用低溫等離子體技術對碳納米管進行改性組裝后，微波等離子將碳納米管用于環境污染物的檢測和治理研究，取得了一系列的成果。 采用Ar/H2O,Ar/NH3,Ar/O2微波等離子體對碳納米管進行表面處理，在碳納米管上引入含氧、含氨基等功能基團，改善其親水性，使之成為納米溶液。這類經處理的功能化材料對于改善碳納米管的生物吸附和環境吸附有良好的應用前景。
當采用AC時，微波等離子只能選用電信規定的科研及工業用頻段（中頻MF40KHz、射頻RF13.56MHz、微波頻率MW2.45GHz）否則會干擾無線電通信。。車輛涂裝和船舶使用等離子體表面處理的3個因素，物理效用下等離子體中的大量離子體、刺激性分子和自由基等多種特異性粒子效用于物質樣品表面，可以去除表面本來的污染物和雜質。
微波等離子
由于這屬于無線電波頻譜范圍，故又稱為射頻放電（Radio frequency discharge），簡稱RF放電，最常用的頻率為13.56MHz。當所用電場的頻率超過1GHz時，屬于微波放電（Microwave discharge），簡稱為MW放電。常用的微波放電頻率為2450MHz。 本篇關于大氣等離子清洗機的文章出自北京 ，轉載請注明出處。。
等離子清洗技術不會在微觀尺度上影響材料表面的材料特性：隨著等離子科學研究、聚變實驗的需要，以及工業對可靠等離子處理系統和等離子清洗技術設備的需求不斷增加，它已從 19 世紀的氣體排放設備發展到與先進技術并駕齊驅。進入生產設備。任何用直流電、高頻和微波電場電離氣體的方法都可以用來產生等離子體源。等離子清洗技術為微觀尺度的材料表面改性提供了一種環保且經濟的方法，并且改性過程不需要機械處理或化學試劑。
但光刻膠只是圓形轉化的媒介，當光刻機在光刻膠上形成納(米)圖形后，需要進行下一步的生長或刻蝕的工藝，之后需要用某種方法把光刻膠去除。等離子體去膠機可以實現此功能。它用射頻或微波方式產生等離子體，同時通入氧氣或其他氣體，等離子體與光刻膠進行反應，形成氣體被真空泵抽走。
低溫等離子表面處理原理 低溫等離子體是低氣壓放電（輝光、電暈、高頻和微波等）產生的電離氣體，在電場作用下，氣體中的自由電子從電場獲得能量成為高能量電子。
遠距等離子體蝕刻機臺就可以滿足這些工藝的需要。遠距離等離子體蝕刻機臺的等離子體產生以及蝕刻反應是在不同的腔室中完成的。反應氣體進入等離子體激發腔室，微波等離子在外加電場或者微波的作用下電離產生等離子體，然后通過一個管道 或者特定的過濾裝置進入蝕刻腔室。由于帶電粒子在傳輸的過程中會被管道器壁或者特定裝置過濾掉。中性的自由基會進如反應腔室與待蝕刻晶圓進行反應。由于沒有帶電粒子，整個反應過程不會產生與帶電粒子相關的損害。
是專業從事真空及大氣等離子清洗機、等離子處理機、等離子刻蝕機、等離子去膠機、等離子灰化機、等離子表面處理機、等離子表面處理設備，微波等離子射頻及微波等離子體技術研發、推廣、銷售于一體的高新技術企業，隸屬于戈德爾等離子科技（香港）控股有限公司，總部設于香港 。
