具體的等離子清洗過程主要是基于等離子濺射和蝕刻所引起的物理化學變化。在物理濺射過程中，載玻片等離子體蝕刻機器等離子體中高能離子脈沖的表面轟擊會導致表面原子的位移，在某些情況下還會引起亞表層原子的位移，所以物理濺射沒有選擇性。在化學蝕刻過程中，等離子體中的活性基團與表面原子和分子發生反應，產生可被抽走的揮發性物質。在等離子體蝕刻工藝中，通過選擇不同的工藝參數，可以對不同的材料實現高度選擇性的化學反應蝕刻。
等離子清洗機表面蝕刻液材料表面被反應性氣體等離子體選擇性腐蝕，載玻片等離子體蝕刻被腐蝕的材料轉化為氣相，由真空泵排出。處理后的材料具有更高的比表面積和更好的親水性。等離子體清洗機納米涂層溶液等離子體處理后，等離子體引導聚合形成納米涂層。不同材料表面涂布，疏水(疏水)、親水(親水)、疏油(防油)。等離子清洗機PBC制造解決方案這個過程也包括等離子蝕刻的過程，在等離子表面處理器去除PBC通過轟擊等離子表面。
在等離子清洗后的很長一段時間里，載玻片等離子體蝕刻OEM模式并沒有受到全球其他廠商的青睞，尤其是美國和日本廠商。近年來，全球OEM熱潮見證了Grofonde的誕生，它收購了新加坡的一家特許經營公司。三星、英特爾等公司也涉足OEM領域。。在表面處理中，許多半導體材料在加工過程中需要清洗和蝕刻，以確保產品質量。因此，在半導體行業中，低溫等離子體清洗技術、半導體真空低溫等離子體清洗的應用越來越受到重視。
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載玻片等離子體蝕刻：
降解揮發性有機污染物(VOCs)的傳統處理方法如吸附、吸附、冷凝和燃燒等，對于低濃度的VOCs很難實現，而光催化降解VOCs又容易使催化劑失活的問題，利用低溫等離子體處理VOCs不受以上條件的限制，具有潛在的優勢。而等離子體是集放電物理、放電化學、化學反應工程和真空技術于一體的交叉學科。因此，只有很少的單位足夠成熟，以掌握這項技術。
對于本方案，分層方案可以獲得較好的信號完整性，信號層與接地層相鄰，功率層與接地層配對，各接線層的阻抗可以很好地控制，兩層均有良好的磁吸收力線。在供電和形成完整的情況下，可以為每個信號層提供更好的回流路徑。GND - SIG - GND - PWRS SIG - GND;本方案僅適用于設備密度不是很高的情況。這種貼合具有上貼合的所有優點，且頂底層接地面相對完整，可作為較好的屏蔽層使用。
在250 ~ 800 nm的波長范圍內，等離子體作用下甲烷轉化過程中產生的主要活性物質有CH (430.1 ~ 438.7nm)、C (563.2 nm, 589.1 nm)、C2 (512.9 nm, 516.5 nm)和H (434.1 nm, 486.1 nm, 656.3 nm)。在等離子體放電區域，首先產生高能電子。
用于硬、柔性印刷電路板微孔的氣體為CF4和O2。將CF4和O2輸入等離子體機真空室后，在等離子體發生器高頻高壓電場的作用下，CF4和O2氣體發生離解或相互作用，生成含有自由基、原子、O2+CF2O+OF+CO+COF+F+e+等離子體中的自由基和正離子與孔壁上的聚合物有機材料(C, H, O, N)發生反應。
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