當射頻功率為200W～600W，10系列小功率電暈處理機氣壓為mT～120mT或140mT～180mT時，清洗10min～15min可獲得較好的清洗效果和結合強度。直徑為25μm的金絲鍵合絲經等離子體清洗后，平均鍵合強度提高到6.6gf以上。倒裝焊前的清洗在芯片倒裝封裝中，通過等離子體清洗芯片和載體，提高其表面活性，再進行倒裝鍵合，可以有效防止或減少空隙，提高粘接性能。

當物質由低能聚合狀態轉變為高能聚合狀態時，10系列小功率電暈處理機會從外界供給能量（如溫度、電場、輻射等），由固體轉變為液體或由液體轉變為氣體。每個粒子需要0.01eV(1eV=1.6022&乘以10-19焦耳），當氣體進一步從外部吸收能量時，分子的熱運動進一步加劇，分子解離為原子，原子中的電子獲得足夠的能量脫離電子，成為自由電子。

在織物外觀上完成新的化學功能，小功率電暈處理機可以促進外觀與染料之間的反應，進而大大提高織物層間的附著力。此外，有可能完成漿料的無水脫除。以上的例子只是等離子體織物外部處理技術的許多潛在應用中的幾個。通過等離子體外觀處理來改變織物的外觀功能是一個非常復雜的過程。等離子體中的粒子引起的反射通常發生在數據表面的10nm以內。等離子體發射的短波紫外輻射引起的響應的影響范圍較深，在離外表面nm的深度內。

。玻璃光學鏡片，10系列小功率電暈處理機樹脂鏡片等離子，UV/IR鏡片活化-等離子清洗機。一是玻璃光學鏡片等離子體清洗機，樹脂鏡片的等離子體清洗機，UV/IR鏡片活化等離子體清洗機利用能量轉換技能，在一定真空負壓的條件下，通過電能將氣體轉化為高活性氣體等離子體，可以輕柔地沖洗固體樣品的外觀，引起分子結構的變化，從而對樣品外觀上的有機污染物進行超清洗。在極短的時間內，通過外置真空泵將有機污染物完全抽走，其清潔能力可達分子級。

10系列小功率電暈處理機

40kHz的自偏壓約為0V，13.56MHz的自偏壓約為250V，20MHz的自偏壓更低，這三種激發頻率的機理不同，40kHz的反應是物理反應，13.56MHz的反應既有物理反應也有化學反應，20MHz有物理反應，但主要反應是化學反應，如果材料需要活化改性，要用13.56MHz或20MHz等離子體清洗，40kHz的自偏壓約為0V。13.56MHz的自偏壓約為250V，20MHz的自偏壓較低。

通過適當的工藝條件對材料表層進行處理，明顯改變材料表層的形貌，引入多種含氧基團，使表層由非極性、不易粘接變為一定極性、易粘接、親水性，提高了結合面的表面能，不會對表層造成任何損傷，也不會使表層出現涂層、電鍍層剝離。

等離子體清洗設備中氧等離子體對AlGaN/GaN HEMT表面處理的影響；氮化物（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，以其良好的物理、化學和電學性能成為目前研究最多的半導體材料。它是繼第一代半導體材料硅（Si）和第二代半導體材料砷化物(GaAs)、磷化物（GaP）和磷化銅（InP）之后迅速發展起來的第三代半導體材料。

Z在內壁測試，其表面要承受高溫和極高的表面熱負荷（Z約為20MWm-2)，還要承受核聚變反應釋放的能量高達14MeV的中子的輻照，輻照量將有數百dPa。同時，14MeV中子的(n2p)和(n，α)核嬗變反應產生大量氫和氦，會對材料的性能產生很大影響?？梢哉f，世界上現有的材料沒有一種能勝任第一堵墻的工作要求。

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