這對于蝕刻的優(yōu)點是定義通道材料圖案的單一目的。此前，CCPplasma蝕刻機(jī)器CCl2F2氣體用于刻蝕，但由于選擇性和等離子體對底層膜的破壞，有人開發(fā)了兩種組合的氣體等離子體刻蝕方案，CHF3+BCl3和CF4+BCl3。在有效性方面，兩種方法都可以實現(xiàn)更快的蝕刻速率和更高的 InAlAs 選擇性，并且在低電壓和高射頻功率下更容易實現(xiàn)。兩種相似材料之間蝕刻速率的差異是由于反應(yīng)產(chǎn)物的揮發(fā)性不同。

首先，CCPplasma蝕刻等離子體中含有大量的高能粒子（氧自由基，尤其是氧自由基）和光線。高能粒子在與材料表面碰撞時與CC鍵和CH鍵結(jié)合，從而實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)移。因此，在材料表面形成了大量的氧自由基，相鄰的分子氧自由基可以結(jié)合，與等離子體中的活性粒子發(fā)生交聯(lián)或反應(yīng)。將生成一系列新組。當(dāng)它與空氣中的氧氣發(fā)生反應(yīng)時，在聚合物表面形成一種具有強(qiáng)張力的氧自由基。

蝕刻條件是通過 AZ4620 用氧氣 70 sccm 和氬氣 30 sccm 的混合物、偏置電壓 150 W、壓力 55 mT 和厚度 20 μm 的混合物進(jìn)行兩次旋涂獲得的圖案。這些條件下的石墨烯刻蝕速率約為 100 nm/min，CCPplasma蝕刻機(jī)器但光刻膠 AZ4620 的刻蝕速率為 330 nm/min，需要更厚的光刻膠或 3 層掩模結(jié)構(gòu)。幸運(yùn)的是，這種情況不適合非晶態(tài)。

作為參考，CCPplasma蝕刻機(jī)器標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝的接觸孔縱橫比通常為 4-7，但 3D NAND 接觸孔縱橫比一般在 10 以上，并隨著控制柵層數(shù)的增加而增加。 ..因此，等離子表面處理機(jī)和蝕刻機(jī)的制造商開發(fā)了高縱橫比蝕刻（HAR蝕刻）模型，以滿足3D NAND的工藝要求。該過程通常使用等離子表面調(diào)節(jié)等離子清潔器的電容耦合等離子蝕刻 (CCP) 模型來執(zhí)行。

CCPplasma蝕刻

該過程通常使用等離子表面調(diào)節(jié)等離子清潔器的電容耦合等離子蝕刻 (CCP) 模型來執(zhí)行。與通道通孔蝕刻的工藝要求類似，接觸孔蝕刻需要比邏輯蝕刻工藝更強(qiáng)的偏置功率，通常要高出三倍以上。同時，它采用低頻偏置電源提供更長的無離子路徑，提高了等離子表面處理機(jī)的等離子清洗機(jī)將等離子蝕刻到接觸孔底部的能力，從而支撐側(cè)壁在.避免變形。減少接觸孔底部和蝕刻停止。可能性。

具體流程如下：首先，將多層陶瓷片在高溫下共燒成多層陶瓷金屬化板，然后在板上形成多層金屬線，然后進(jìn)行電鍍。板、芯片和 PCB 板之間的 CTE 差異是 CBGA 組裝過程中產(chǎn)品故障的特定原因。除了CCGA結(jié)構(gòu)，其他陶瓷基板（HITCE陶瓷基板）也可以用來彌補(bǔ)這種情況。

在非熱力學(xué)平衡的冷等離子體中，電子具有很高的能量，可以破壞材料表面分子的化學(xué)鍵，提高粒子的化學(xué)反應(yīng)性（大于熱等離子體）。中性粒子的溫度接近室溫，這些優(yōu)點為熱敏聚合物的表面改性提供了合適的條件。低溫等離子表面處理使材料表面發(fā)生各種物理化學(xué)變化，蝕刻和粗糙化，形成高密度交聯(lián)層，或親水性和粘附性、染色性、生物相容性、電學(xué)特性得到改善。

等離子體的狀態(tài)，即物質(zhì)的第四態(tài)，是由被剝奪了部分電子的原子組成的離子，并產(chǎn)生正負(fù)電子。原子電離后的變化氣態(tài)物質(zhì)。這種電離氣體由原子、分子、原子團(tuán)、離子和電子組成。其對物體表面的作用可以實現(xiàn)物體的超凈清洗、物體表面的活化、蝕刻、精加工、等離子表面鍍膜。由于物體表面的低溫等離子體強(qiáng)度比高溫等離子體強(qiáng)度弱，因此可以保護(hù)被加工物體的表面，低溫等離子體主要用于應(yīng)用。

CCPplasma蝕刻機(jī)器

低溫等離子表面處理使材料表面發(fā)生各種物理化學(xué)變化，CCPplasma蝕刻機(jī)器蝕刻和粗糙化，形成高密度交聯(lián)層，或親水性和粘附性、染色性、生物相容性、電學(xué)特性得到改善。由于在適當(dāng)?shù)墓に嚄l件下對材料表面進(jìn)行處理，材料表面形貌發(fā)生劇烈變化，引入各種含氧基團(tuán)，使表面無極性，難以粘附。恒定的極性、粘性、親水性。適用于膠合、涂層和印刷。當(dāng)在電極上施加交流高頻和高壓時，兩個電極之間的空氣會產(chǎn)生氣體電弧放電以形成等離子體區(qū)域。