氣壓1～5托（1托≈133帕），c18親水性色譜柱島津電源13.5兆赫。氮化硅沉積用SiH4+SiH3+N2。溫度300℃，沉積率約180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反應劑得SixC1+x：H，x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2。在多孔基片上,用等離子體沉積一層薄聚合膜，制成選擇性的滲透膜及反滲透膜，可用于分離混合氣中的氣體，分離離子與水。

等離子清洗設備材料鍵合機參數：序號型號CPC-ACPC-BCPC-C1艙體尺寸275X110（直徑）mm295X150（直徑）mm295X150（直徑）mm2艙體容積2.6L5.2L5.2L3射頻頻率40KHz40KHz13.56MHz4射頻功率10-200W無極可調10-200W無極可調10-150W無極可調5電 源220V 50/60HZ220V 50/60HZ220V 50/60HZ6電 流1.2A1.2A1.2A7時間設定1-99分59秒1-99分59秒1-99分59秒8氣體穩定時間1分鐘1分鐘1分鐘9真空度 pa以內 pa以內 pa以內10等離子激發方式電容式電容式電容式11外形尺寸L*W*H480*450*265mm520*450*290mm520*450*290mm12整機重量15Kg20Kg25Kg。

圖二 等離子體處理鐵氟龍的C1s 分峰圖等離子體引發過程中產生的活性粒子和極性基團可以移除鐵氟龍表面的F并產生自由基，c18親水性引發表面發生交聯反應或形成不飽和鍵，暴露于空氣中后又會與O2等發生反應，從而引入O和N元素并生成新的官能團。鐵氟龍表面F/C比例越低、（O+N）/C比例越高，表明有越多的C-F2鍵被打斷并生成更多的官能團，從而使鐵氟龍的表面黏附性得到改善。

它在電子工業、化工、光學等方面有著廣泛的應用。硅化合物的等離子體沉積。以SiH4+N2O（或Si(OC2H4)+O2)為原料制備SiOxHy。氣壓為1～5托（1托≈133Pa)，c18親水性色譜柱島津電源為13.5MHz。SiH4+SiH3+N2用于氮化硅的沉積。在300℃下，沉積速率約為180A/min。非晶碳化硅薄膜由硅烷和含碳共反應物組成，得到SixC1+x:H，x為Si/Si+C硬度大于2500kg/mm2的比值。

c18親水性色譜柱島津

氣壓1～5托（1托≈133帕），電源13.5兆赫。氮化硅沉積用SiH4+SiH3+N2。溫度300℃，沉積率約180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反應劑得SixC1+x：H，x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2。在多孔基片上,用等離子體沉積一層薄聚合膜，制成選擇性的滲透膜及反滲透膜，可用于分離混合氣中的氣體，分離離子與水。

電壓為自動調壓器，由高壓變壓器充分升壓，波經整流，然后對儲能電容C1充電。當旋轉火花隙 RSG1 導通時，C1 通過限流電阻 R 對脈沖形成電容器 C2 充電。在旋轉火花隙RSG2導通的瞬間，C2的能量通過RSG2釋放到電抗器，電抗器獲得一個高壓脈沖。 RSG1 和 RSG2 上的火花隙在同一旋轉軸上對齊，不能同時打開。這使得 C1 充電 C2 和 C2 排放到反應器作為兩個獨立的過程。

等離子清洗機的作用通過比較等離子清洗機前后無塵布的親水性和疏水性，可以看出等離子清洗機的表面改性處理實際上可以有效提高吸水率。然而，等離子表面改性過程中等離子清洗機的活化和蝕刻起著重要作用。等離子活化工藝可以在PET無塵布表面引入大量極性基團。此類基團的數量越大，潔凈布的表面自由能越高，潤濕性和吸水性越好。

用等離子清洗裝置處理使材料表面發生各種物理化學變化、腐蝕，并形成致密的交聯層，從而獲得親水性、結合性、染色性、生物相容性。它已得到改進。使用等離子清洗劑對硅橡膠進行表面處理，大大提高了產品表面的親水性和附著力，而且表面層不會隨著時間的推移恢復到原來的狀態。研究、開發、設計、制造、銷售、是一家提供服務的高科技公司，是一家大型工業自動化的大型中蓋合作公司。

c18親水性

通過該裝置對硅膠表層進行處理，c18親水性N2、Ar、O2、CH4-O2和Ar-CH4-O2能夠提高硅膠的親水性。等離子技術可以改變硅膠表面的氧分子，將負極變成正極。具有低靜電感應和優良的防污性能，適用于眼鏡架和表帶、醫療器械、運動器材等產品，具有優良的特性。等離子表面處理技術上適用于化學纖維、聚合物、塑料等原材料，也可用于金屬和結構陶瓷的清洗、活化和蝕刻。等離子技術可以合理解決硅膠的靜電和污染問題，延長其使用壽命。。