當由于光刻工藝的限制，科目四隧道內附著力減小邏輯電路的極限降低到45NM/40NM以及更先進的工藝技術節點時，工藝集成通常要求蝕刻后的接觸孔極限降低40NM左右。 （尺寸偏移）我們開始使用多層掩模蝕刻技術，與蝕刻前的尺寸相比。在接觸孔蝕刻工藝中，如此顯著的尺寸減小對在高縱橫比的情況下確保接觸孔開口提??出了挑戰，并且尺寸變化通常主要通過富含聚合物的蝕刻工藝來實現。
在這段時間內，科目四隧道內附著力減小沒有電流流過寄生電感，因此沒有感應電壓。通常兩個或多個電容器并聯放置，以減小電容器本身的串聯電感，從而降低電容器充放電電路的阻抗。注意事項：電容器放置、設備間距、設備方式、電容器選擇。。低溫等離子體電源氫等離子體對硅襯底表面的原位清洗；硅表面清洗技術包括兩部分：襯底裝入沉積系統前的非原位表面清洗和外延前的原位表面清洗。
等離子體是物質的一種狀態，隧道內附著力的意思也叫物質的第四狀態。施加足夠的能量使氣體電離，就變成了等離子體狀態。等離子體的“活性”成分包括：離子、電子、活性基團、激發核素（亞穩態）、光子等。等離子體清洗機就是通過這些活性成分的特性對樣品的表層進行加工，從而滿足清洗的需要。等離子體和固體、液體或氣體一樣，是物質的一種狀態，也叫物質的第四態。施加足夠的能量使氣體電離，就變成了等離子體狀態。
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激勵頻率為：40KHZ等離子為超聲波等離子，13.56MHZ等離子為高頻等離子，2.45GHZ等離子為微波等離子。不同的等離子體具有不同的自偏壓。超聲波等離子的自偏壓在 0V左右，低溫寬帶等離子清洗機射頻等離子的自偏壓在250V左右，微波等離子的自偏壓很低，只有幾十伏。并且三種等離子體的作用機制不同。
例如，地磁場可以約束帶電粒子形成地球輻射帶（范艾倫帶）。受控熱核聚變的磁鏡裝置也利用這一性質來限制等離子體。。等離子體中的波型非常復雜。有橫波（波矢K與電場E垂直），縱波（K與E平行），以及非橫波和非縱波。有橢圓極化波、圓極化波和線極化波。波的相速度可以大于、等于或小于光的真空速度C，波的群速度和相速度可以平行、非平行或反平行。
這是因為當CO2濃度較高時，系統中的活性氧種類過多，它們與CH4分子相互作用生成氧化產物，與生成的C2烴類產物相互作用生成C2H6和C2H4，這是為了便于轉化. ，而C2H2則轉化為氧化產物。 CO 產率隨著 CO2 濃度的增加而增加，當 CO2 濃度超過 50% 時達到一個恒定值。同時，隨著系統中 CO2 濃度從 15% 增加到 85%，產品中 H2 與 CO 的摩爾比從 3.5 下降到 0.6。
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