ch4 +e*>CH3 +H+e (3-1)CH3+e*>(3 - 3) CH + e *本;在C + + H e(3 - 4)甲烷+ e *本;祝辭CH2 + 2 H (H2) + e(3 - 5)甲烷+ e *本;在CH (H2 + H) + e + 3 H(3 - 6)甲烷+ e *本;C + 4 H (2 H2) + e(3 - 7)之間的耦合反應(yīng)自由基和生產(chǎn)以下產(chǎn)品(M是第三個身體,反應(yīng)堆的墻,等):CH3 +甲基+ M在乙炔+ M (3 - 8) CH2 + CH2 + M祝辭C2H4 + M(3 - 9) +乙醇+ M祝辭C2H4 + H + M (3 - 10) CH + CH + M在乙炔+ M (3 - 11) CH + CH2 + M在乙炔+ H + M(3 - 12)甲基+ C + M在乙炔+ H + M (3-13)由于系統(tǒng)中濃度較高的顆粒是甲烷分子，硅膠附著力樹脂bh-14甲烷分子的碰撞與各種甲基自由基生成新的自由基,生成各種C2烴產(chǎn)品也是一個不容忽視的重要途徑:CH2 +甲烷+ M祝辭C2H6 + M (3 - 14) CH +甲烷+ M祝辭C2H4 + H + M (3 - 15) C +甲烷+ M祝辭C2H4 + M (3-16) C +甲烷+ M在乙炔+ H2 + M(3 - 17)與此同時,C2物種的存在甲烷等離子體的發(fā)射光譜可以合理推斷,還可以通過以下途徑:生成乙炔C2 + H + M祝辭C2H + M (18) 3 -C2H + H + M在乙炔+ M(19) 3——大氣壓力脈沖電暈等離子體,高能電子能量寬因此，甲烷等離子體中各種自由基的濃度是不同的，反應(yīng)的主要產(chǎn)物是乙炔和氫氣，而次要產(chǎn)物是乙烯和乙烷。

潛在的等離子誘導(dǎo)損傷 (PID) 對設(shè)備性能有重大影響。傳統(tǒng)的連續(xù)等離子刻蝕將器件尺寸縮小到 14 nm 節(jié)點以下，硅膠附著力樹脂bh-14越來越難以滿足上述刻蝕目標(biāo)。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，等離子清洗機(jī)等離子脈沖蝕刻技術(shù)應(yīng)運而生，并逐漸應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域。等離子脈沖技術(shù)在 1980 年代后期被報道，并被用于等離子物理的基礎(chǔ)研究。

本文網(wǎng)址： /newsdetail-14142425.html。  ：  1.完全徹底地清除表面有機(jī)污染物。  2.清洗快速、操縱簡便、使用和維護(hù)本錢極低。  3.非破壞性、對被清洗物表面光潔度無損害。  4.綠色環(huán)保、不使用化學(xué)溶劑、無二次污染。

等離子清洗機(jī)（Plasma Cleaner）又被稱為等離子蝕刻機(jī)、等離子去膠機(jī)、等離子活化機(jī)、Plasma清洗機(jī)、等離子表面處理機(jī)、等離子清洗系統(tǒng)等。

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真空等離子清洗還具有以下特點：易于采用數(shù)控技術(shù)，自動化程度高；具有高精度控制裝置，時間控制精度高；正確的等離子清洗不會在表層產(chǎn)生損傷層，表面質(zhì)量得到保證；由于是在真空中進(jìn)行，不會對環(huán)境造成污染，保證清洗面層不會二次污染。與濕法清洗相比，等真空離子清洗的優(yōu)勢表現(xiàn)在以下七個方面：1。等離子清洗后，被清洗的物體非常干燥，無需干燥即可送入下一道工序。2.不使用ODS有害溶劑，清洗后不產(chǎn)生有害污染物。

整個反應(yīng)清潔徹底，能量利用率高，凈化效率非常高。等離子體廢氣凈化設(shè)備的等離子體功能段可以激發(fā)污染物能量，促進(jìn)長鏈、多鏈污染物分子的分子鍵斷裂和重組，將難降解污染物降解為更易處理的低碳污染物。從上述反應(yīng)過程可以看出，電子首先從電場中獲得能量，然后通過激發(fā)或電離將能量傳遞給污染物分子。那些獲得能量的污染物分子被激發(fā)，同時一些分子被電離，從而成為活性基團(tuán)。

如果您有更多等離子表面清洗設(shè)備相關(guān)問題，歡迎您向我們提問（廣東金徠科技有限公司）

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