氧氣(O2):清洗方式:物理+化學氮氣(氮氣，cobplasma蝕刻N2):清洗方式:物理+化學二氧化碳(CO2):清洗方式:物理+化學氬氣(氬氣，Ar):清洗方式:物理壓縮空氣(Compressed Air,CDA):清洗方式:采用等離子體清洗，可大大提高清洗效率。

等離子體預處理工藝可以完全去除玻璃表面的有機污染物等雜質，cobplasma蝕刻機器提高附著力，從而提高附著力質量，降低廢收率。這也適用于熱壓焊接和精密焊接工藝。。去除金屬氧化物化學清洗:以表面反應為基礎的化學反應等離子體清洗，也稱為PE。例如:O2+ E -→2O※+ E - O※+有機質→CO2+H2OAs，從反應公式可以看出，氧等離子體可以通過化學反應將不揮發性有機質轉化為揮發性的H2O和CO2。

也可用于半導體集成電路制造過程中，cobplasma蝕刻機器在電子顯微鏡下觀察到樣品變薄。化學濺射可以產生揮發性產物。常見氣體包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸汽。惰性離子濺射比等離子濺射的化學反應更接近物理過程。等離子體F蝕刻技術廣泛應用于半導體設備制造。

C2H6和C2H4的脫氫。隨著體系中CO2濃度的增加，cobplasma蝕刻機器消耗了大量的高能電子C2H6、C2H4和高能電子電子碰撞的概率不斷降低，阻礙進一步脫氫，C2H4的生成進一步減少。因此，隨著體系中CO2濃度的增加，C2H6和C2H4的摩爾分數呈增加趨勢，而C2H2的摩爾分數呈下降趨勢。。等離子體作用下CO2轉化的主要反應熱解機理如下:CO2是主要的溫室氣體，主要來自化石燃料燃燒排放。

cobplasma蝕刻

低溫等離子體凈化器是利用等離子體以每秒300萬到5000萬次轟擊惡臭氣體分子，反復激活、電離、裂解氣體中的各種成分，并進行氧化、再通等一系列復雜的化學反應，多級凈化，向大自然釋放有害物質到干凈的空氣中。高壓發生器形成的低溫等離子體在大量平均能量約5eV的電子的作用下，將苯、甲苯、二甲苯等有機廢氣分子通過凈化器轉化為各種活性粒子，與活空氣中的O2結合，生成H2O、CO2等低分子無害物質，從而凈化廢氣。

在等離子體作用下，負載過渡金屬氧化物的催化活性按C2烴產率的大小依次為:cr2o3 /Y- al2o3 Fe2O3/Y- al2o3 >TiO2/Y- al2o3 NiO/Y- al2o3 &asymp-Al2O3>氧化鋅/ Y-Al2O3 MoO3 / Y-Al2O3根據公司的收益率,支持過渡金屬氧化物的催化活性是NiO / Y-al2o3 >.TiO2 / Y-Al2O3> Re2O3 / Y-Al2O3 Fe2O3 / Y-Al2O3 Co2O3 / Y-Al2O3> MoO33 / Y-Al2O3氧化鋅/ Y-Al2O3 Mn2O3 / Y-Al2O3> Na2WO4 / Y-Al2O3 Cr2O3鋁/ Y -型。

等離子處理機廣泛應用于等離子清洗、等離子蝕刻、icp、晶圓到橡膠涂層、icp、灰化活化和等離子表面處理等。通過等離子表面處理的優點，可以提高表面潤濕能力，使各種材料可以進行涂覆、電鍍等操作，增強粘接強度和結合力，還可以去除有機污染物、油污或潤滑脂。

等離子體處理設備主要包括預真空室、刻蝕室、送風系統和真空系統四部分。等離子體處理設備的工作原理是化學過程和物理過程共同作用的結果。真空壓力下,射頻(RF)力量的基本原則產生的射頻輸出環耦合線圈,以一定比例混合蝕刻氣體輝光放電的耦合,高密度等離子體、電極的射頻(RF),進行等離子體轟擊襯底表面,基片圖形區半導體材料的化學鍵被中斷，它與被蝕刻的氣體形成揮發性物質，以氣體的形式離開基片，并被抽離真空管。。

cobplasma蝕刻機器

準確地說，cobplasma蝕刻機器等離子清洗機是一種表面處理設備，它看起來平淡無奇，但卻非常有用。為了讓大家更直觀的了解等離子清洗機是清洗什么，首先讓我們來講解一下等離子加工的作用，幫助大家更好的了解。清洗和蝕刻:可去除無形有機污染物和表面吸附層，以及工件表面的膜層。超精密的清洗處理可以解決表面附著力問題。例如，清洗時，工作氣體往往是用氧，它被加速電子轟擊成氧離子、自由基，氧化性很強。

等離子體反應室本體的優點通常是不銹鋼或鋁材料，cobplasma蝕刻電板基本上選用鋁合金，這兩部分在等離子體加工的時候吸收了很多熱的產品，沒有任何條件，配套設施將在傳輸方式和方式上的熱射線分布到環境溫度較低的地方，例如機器緊固件、防護罩和低溫空氣。改進方法:在電極和反應室中增加冷卻系統，例如電極采用蛇形管附著或通過冰水的方法，可以大大提高冷卻效果。